[发明专利]一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法有效
申请号: | 202010652758.9 | 申请日: | 2020-07-08 |
公开(公告)号: | CN111785682B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 韩拯;董宝娟;陈茂林;李小茜;张桐耀 | 申请(专利权)人: | 山西大学 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L27/28;B82Y40/00 |
代理公司: | 太原申立德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14115 | 代理人: | 程园园 |
地址: | 030006*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 打印 三维 多层 集成电路 方法 | ||
1.一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法,其特征在于,基于3D打印技术,以喷雾打印方式,多层次、跨尺度、实现三维多层集成电路的直接打印以及原位电极互联,具体步骤如下:
步骤1,矢量图形输出:将预先设计好的矢量集成电路分解成打印精度范围内的多层图层,从第一图层开始,通过交替使用半导体碳基纳米材料、金属性碳基纳米材料、绝缘性碳基纳米材料与溶剂聚合物混合为原料配置“墨水”,根据上述图层中集成电路所需材料自动选择相应电学特性的原料,使用对应的挤出式针头或高精度喷嘴,结合高精度定位平台,原位打印固化所需的集成电路;
步骤2,重复步骤1直至每一个图层均被精准定位、打印并固化,最终形成目标三维多层集成电路。
2.根据权利要求1所述的一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法,其特征在于,所述喷雾打印可替换为光固化液相打印,或混合使用喷墨打印和光固化液相打印。
3.根据权利要求1所述的一种3D打印全碳集成电路的方法,其特征在于,所述步骤1中半导体碳基纳米材料为p型单壁碳纳米管材料或n型单壁碳纳米管材料中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法,其特征在于,所述步骤1中金属性碳基纳米材料为石墨烯纳米粉或金属性碳纳米管。
5.根据权利要求1所述的一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法,其特征在于,所述步骤1中绝缘性碳基纳米材料为氧化石墨烯或绝缘性碳纳米管。
6.根据权利要求1所述的一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法,其特征在于,所述步骤1中溶剂聚合物为热固型液态树脂或活性物质光敏胶。
7.根据权利要求1所述的一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法,其特征在于,所述步骤1中固化分为针对热固型液态树脂的加热固化,针对活性物质光敏胶的紫外光照固化;所述针对热固型液态树脂的加热固化的温度为20~300℃。
8.根据权利要求1所述的一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法,其特征在于,所述步骤2中目标三维多层集成电路的层与层之间顺序和互联方式不受限制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造