[发明专利]一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法有效

专利信息
申请号: 202010652758.9 申请日: 2020-07-08
公开(公告)号: CN111785682B 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 韩拯;董宝娟;陈茂林;李小茜;张桐耀 申请(专利权)人: 山西大学
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L27/28;B82Y40/00
代理公司: 太原申立德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14115 代理人: 程园园
地址: 030006*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 打印 三维 多层 集成电路 方法
【权利要求书】:

1.一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法,其特征在于,基于3D打印技术,以喷雾打印方式,多层次、跨尺度、实现三维多层集成电路的直接打印以及原位电极互联,具体步骤如下:

步骤1,矢量图形输出:将预先设计好的矢量集成电路分解成打印精度范围内的多层图层,从第一图层开始,通过交替使用半导体碳基纳米材料、金属性碳基纳米材料、绝缘性碳基纳米材料与溶剂聚合物混合为原料配置“墨水”,根据上述图层中集成电路所需材料自动选择相应电学特性的原料,使用对应的挤出式针头或高精度喷嘴,结合高精度定位平台,原位打印固化所需的集成电路;

步骤2,重复步骤1直至每一个图层均被精准定位、打印并固化,最终形成目标三维多层集成电路。

2.根据权利要求1所述的一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法,其特征在于,所述喷雾打印可替换为光固化液相打印,或混合使用喷墨打印和光固化液相打印。

3.根据权利要求1所述的一种3D打印全碳集成电路的方法,其特征在于,所述步骤1中半导体碳基纳米材料为p型单壁碳纳米管材料或n型单壁碳纳米管材料中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法,其特征在于,所述步骤1中金属性碳基纳米材料为石墨烯纳米粉或金属性碳纳米管。

5.根据权利要求1所述的一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法,其特征在于,所述步骤1中绝缘性碳基纳米材料为氧化石墨烯或绝缘性碳纳米管。

6.根据权利要求1所述的一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法,其特征在于,所述步骤1中溶剂聚合物为热固型液态树脂或活性物质光敏胶。

7.根据权利要求1所述的一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法,其特征在于,所述步骤1中固化分为针对热固型液态树脂的加热固化,针对活性物质光敏胶的紫外光照固化;所述针对热固型液态树脂的加热固化的温度为20~300℃。

8.根据权利要求1所述的一种3D打印全碳三维多层集成电路的方法,其特征在于,所述步骤2中目标三维多层集成电路的层与层之间顺序和互联方式不受限制。

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