[发明专利]双三相绕组变磁通记忆电机、电机系统及其控制方法

权利要求书

1.一种双三相绕组变磁通记忆电机，其特征在于，包括：

定子；

转子，转子上设有可变磁通永磁体；

绕组，所述绕组设于定子槽上，所述绕组包括第一三相绕组以及第二三相绕组，所述第一三相绕组以及第二三相绕组空间无物理重叠，所述第一三相绕组以及第二三相绕组的轴线正对不同的转子极；

当可变磁通永磁体需要转换磁化状态时，所述第一三相绕组加载增磁或去磁电流脉冲，以完成可变磁通永磁体的磁化状态转换，所述第二三相绕组不参与可变磁通永磁体的磁化状态转换。

2.根据权利要求1所述的双三相绕组变磁通记忆电机，其特征在于，所述增磁或去磁电流脉冲采用直轴电枢电流脉冲。

3.根据权利要求1所述的双三相绕组变磁通记忆电机，其特征在于，绕组的结构为分布绕组或集中绕组。

4.根据权利要求1所述的双三相绕组变磁通记忆电机，其特征在于，转子的转子极呈结构对称，相邻两个转子极的永磁体磁体的充磁方向相反。

5.根据权利要求1所述的双三相绕组变磁通记忆电机，其特征在于，转子的转子极包括两层内嵌式永磁体磁体，根据距离气隙的由远至近依次包括可变磁通永磁体以及高矫顽力恒定磁通永磁体。

6.根据权利要求1所述的双三相绕组变磁通记忆电机，其特征在于，所述转子和定子由硅钢冲片叠压构成。

7.根据权利要求1所述的双三相绕组变磁通记忆电机，其特征在于，所述第一三相绕组包括十二个电枢线圈，所述第二三相绕组包括十二个电枢线圈。

8.一种变磁通记忆电机系统，其特征在于，其包括如权利要求1-7中任意一项所述的双三相绕组变磁通记忆电机以及与双三相绕组变磁通记忆电机电连接的控制器。

9.根据权利要求8所述的变磁通记忆电机系统，其特征在于，所述控制器包括第一逆变器以及第二逆变器，其中第一逆变器与第一三相绕组电连接，第二逆变器与第二三相绕组电连接。

10.一种电机使用方法，其特征在于，在如权利要求1-7中任意一项所述的双三相绕组变磁通记忆电机使用时，包括步骤：

当变磁通永磁体需要转换磁化状态时，第一三相绕组加载增磁或去磁电流脉冲，以完成可变磁通永磁体的磁化状态转换，第二三相绕组不参与可变磁通永磁体的磁化状态转换。