[发明专利]用于半导体器件重离子潜径迹损伤分析的方法和装置

说明书

本申请公开了一种用于半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法，包括：确定所述半导体器件的基本结构；根据所述半导体器件的基本结构建立其器件模型；确定所述半导体器件模型中每层材料的种类和厚度参数，以及每层材料中入射粒子的类型和能量参数；定义所述半导体器件模型的底色和框架结构；定义所述半导体器件模型中表示所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向；在所述半导体器件模型中绘制所述入射粒子的运动轨迹。本申请通过构建半导体器件模型，并基于所述器件模型绘制入射粒子在器材模型中的运动轨迹来分析重离子潜径迹损伤情况，避免了基于实物的研究产生的条件限制，方便了更为广泛和普适的模拟研究。

技术领域

本申请涉及半导体器件重离子辐照的数值分析方法，尤其涉及用于半导体器件重离子潜径迹损伤分析的方法和装置。

背景技术

随着微电子制造工艺的不断成熟，硅材料的瓶颈日益突出，特别是在光电子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制。

在航空航天领域半导体器件也有广泛应用，空间环境中的高能重离子尽管通量较低，但其极强的能量损失特性使得沿离子径迹对器件产生的损伤不可忽略。

对于重离入潜径迹损伤过程的分析研究通常是以实际半导体器件辐照条件下的研究为主，但基于实物的研究通常会有很多条件限制，比如，至少要重离子辐照的环境和过程,而且不能为重离入潜径迹损伤的预判和预研提供更为灵活和广泛适应的研究条件。

发明内容

(一)发明目的

本申请要解决的技术问题是提供一种半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法，通过构建半导体器件模型，绘制入射粒子在器材模型中的运动轨迹来分析重离子潜径迹损伤情况。

(二)技术方案

第一方面，本申请实施例提供了一种用于半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法，包括：

确定所述半导体器件的基本结构；

根据所述半导体器件的基本结构建立其器件模型；

确定所述半导体器件模型中每层材料的种类和厚度参数，以及每层材料中入射粒子的类型和能量参数；

根据所述每层材料的种类及厚度参数，定义所述半导体器件模型的底色和框架结构；

根据所述入射粒子的类型和能量参数，定义所述半导体器件模型中表示所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向；

根据定义的所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向，以及定义的所述半导体器件模型的底色和框架结构，在所述半导体器件模型中绘制所述入射粒子的运动轨迹。

上述实施中通过构建半导体器件模型，并基于所述器件模型绘制入射粒子在器材模型中的运动轨迹来分析重离子潜径迹损伤情况，避免了基于实物的研究产生的条件限制，方便了更为广泛和普适的模拟研究。

一些实施例中，所述根据所述入射粒子的类型和能量参数，定义所述半导体器件模型中表示所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向，包括：

用线条颜色定义所述入射粒子的能量大小；

用线条走向定义所述入射粒子的能量方向。

一些实施例中，根据定义的所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向，以及定义的所述半导体器件模型的底色和框架结构，在所述半导体器件模型中绘制所述入射粒子的运动轨迹的过程包括：

基于蒙特卡罗方法模拟所述入射粒子在所述器件模型中的运动轨迹；

根据模拟的所述运动轨迹，利用定义的所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向，绘制所述入射粒子在所述器件模型中运动轨迹的分布情况。

一些实施例中，还包括：