[发明专利]中间串联层及生产方法、叠层光伏器件及制备方法

权利要求书

1.一种叠层光伏器件的中间串联层，其特征在于，所述中间串联层包括：势垒层、以及分散在所述势垒层内的量子点结构。

2.根据权利要求1所述的中间串联层，其特征在于，所述势垒层包括用于与下层电池单元的向光面接触的下表面，所述下表面的带隙宽度大于或等于1.5eV；

所述势垒层包括与电子传输面接触的n型界面，以及与空穴传输面接触的p型界面；所述电子传输面为与所述势垒层接触的下层电池单元的向光面、上层电池单元的背光面两者中的一个，所述空穴传输面为另一个；

E_g-n≥E_c-n+0.3eV，其中，所述E_g-n为所述n型界面的导带能级，所述E_c-n为所述电子传输面的导带能级；

E_g-p≤E_v-p-0.3eV，其中，所述E_g-p为所述p型界面的价带能级，所述E_v-p为所述空穴传输面的价带能级。

3.根据权利要求1或2所述的中间串联层，其特征在于，所述量子点结构均匀分散在所述势垒层内；

或，所述量子点结构相对集中分布在所述势垒层内。

4.根据权利要求1或2所述的中间串联层，其特征在于，所述势垒层的厚度为0.1-50nm。

5.根据权利要求1或2所述的中间串联层，其特征在于，所述量子点结构的平均粒径为0.1-20nm。

6.根据权利要求1或2所述的中间串联层，其特征在于，所述量子点结构为三维限域结构，单个所述三维限域结构的形状为球体、类球体、多面体中的一种。

7.根据权利要求1或2所述的中间串联层，其特征在于，所述势垒层包括至少两个子势垒层；所述子势垒层的材料相同或不同，所述量子点结构位于所述子势垒层的层间或所述量子点结构分散在所述子势垒层内。

8.根据权利要求1或2所述的中间串联层，其特征在于，所述势垒层的材料选自电介质材料或带隙宽度大于或等于1.5eV的半导体材料。

9.根据权利要求1或2所述的中间串联层，其特征在于，所述势垒层的材料选自：本征或掺杂的非晶硅、本征或掺杂的非晶碳化硅、本征或掺杂的纳米晶硅、本征或掺杂的纳米晶碳化硅、本征晶体碳化硅、本征或掺杂氮化镓、本征氧化锌、掺铝氧化锌、本征氧化钼、本征硫化镓、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、金属卤化物、金属氟氧化物中的至少一种；其中，所述金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物、金属卤化物、金属氟氧化物中的金属选自：碱金属、碱土金属、IIIA族金属、IVA族金属、或过渡金属中的一种或多种。

10.根据权利要求1或2所述的中间串联层，其特征在于，所述量子点结构的材料选自：导体材料或半导体材料。

11.根据权利要求1或2所述的中间串联层，其特征在于，所述量子点结构选自：金属材料量子点结构、硅量子点结构、碳量子点结构、硅碳量子点结构中的至少一种。

12.根据权利要求1或2所述的中间串联层，其特征在于，所述量子点结构选自：锗量子点结构、硅锗量子点结构、氧族金属化合物量子点结构中的至少一种。

13.根据权利要求1或2所述的中间串联层，其特征在于，还包括：位于所述势垒层与上层电池单元之间且与所述上层电池单元直接接触的第一过渡层，和/或，位于所述势垒层和所述下层电池单元之间且与所述下层电池单元直接接触的第二过渡层；

所述第一过渡层的材料选自所述势垒层与所述上层电池单元的界面反应的生成物中的至少一种；

所述第二过渡层的材料选自所述势垒层与所述下层电池单元的界面反应的生成物中的至少一种。