[发明专利]耳机、电子设备及耳机入耳检测方法有效

专利信息
申请号: 202010654249.X 申请日: 2020-07-08
公开(公告)号: CN111885446B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 邹波;韩元杰;黄岩 申请(专利权)人: 深迪半导体(绍兴)有限公司
主分类号: H04R1/10 分类号: H04R1/10;H04R29/00
代理公司: 上海剑秋知识产权代理有限公司 31382 代理人: 杨飞
地址: 312030 浙江省绍兴市柯桥区柯桥*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 耳机 电子设备 入耳 检测 方法
【说明书】:

发明提供了一种耳机、电子设备及耳机入耳检测方法,所述耳机包括参考磁场;磁感应装置,所述磁感应装置用于检测所述参考磁场;感应构件,所述感应构件适于根据受到的预定物理信号驱动而发生状态变化,当所述感应构件的状态发生变化时,适于使所述参考磁场也随之发生变化。

技术领域

本发明涉及MEMS领域,尤其涉及一种耳机、电子设备及耳机入耳检测方法。

背景技术

入耳检测已逐渐成为TWS耳机的标配功能,这一功能能够为使用者带来诸多人性化的使用体验,并且这一功能也能够有效节省电量,为耳机增加使用时间。

现有的入耳检测方案包括:

1、光学入耳检测,以苹果Air Pods系列耳机为代表,结构比较复杂,体积相对较大。光学入耳检测需要从耳机外壳开孔的光路通道,影响耳机防水、防尘等实用性能,耳机壳体内空间普遍狭小,光学检测结构相对复杂,生产工艺高,成本也高。

2、电容/触控/压控入耳检测,相比光学的非接触方案,需要相应的机械结构进行力和接触的传导,目前该类型的方案主要问题在于,单维检测路径单一,比较容易误触发,可靠性不高。

发明内容

鉴于上述现有技术中的不足,本发明提供一种耳机,其包括:

参考磁场;

磁感应装置,所述磁感应装置用于检测所述参考磁场;

感应构件,所述感应构件适于根据受到的预定物理信号驱动而发生状态变化,当所述感应构件的状态发生变化时,适于使所述参考磁场也随之发生变化。

进一步地,所述感应构件包括磁性材料,所述参考磁场由所述感应构件限定。

进一步地,所述耳机包括入耳组件,当所述入耳组件受到外部压力时,可将所述外部压力传递至所述感应构件。

进一步地,所述耳机包括入耳组件,所述感应构件是所述入耳组件本身或是所述入耳组件的一部分。

进一步地,所述参考磁场由所述耳机内的电信号限定。

进一步地,所述感应构件采用磁集极材料。

进一步地,所述感应构件是磁性振膜构件、磁性音叉构件或磁性梳尺构件,从而可通过感应到的声波来改变所述参考磁场。

进一步地,所述磁感应装置是三轴磁力计。

本发明还提供了一种电子设备,其包括上述的耳机。

本发明还提供了一种耳机入耳检测方法,基于耳机入耳时对于耳机内设置的感应构件所产生的影响,所述感应构件被设置为基于所述影响可使耳机内的已有磁场发生变化,根据所述已有磁场的变化判断耳机是否入耳。

本发明具有以下技术效果:

1、针对光学入耳检测的不足,采用磁场检测方案整体结构简单,无需在外壳开孔,结构设计和工艺复杂度均大幅降低。

2、针对电容/触控/压控等接触类入耳检测方案,采用磁场检测方案更方便灵活且灵敏度高。通过三维磁场传感器,较传统的单维接触检测能更准确地进行识别,避免误触发。

以下将结合附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明,以充分地了解本发明的目的、特征和效果。

附图说明

图1是本发明的一个实施例的结构示意图;

图2是图1部分剖视的结构示意图;

图3是图1中耳塞组件的另一种实现方式的结构示意图;

图4是图3部分剖视的结构示意图;

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