[发明专利]磁盘装置以及记录容量的设定方法

说明书

实施方式提供能够高效地写入数据的磁盘装置以及记录容量的设定方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有第1区域和第2区域，所述第2区域供暂时性地写入向所述第1区域写入之前的数据；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其对通常记录和瓦记录进行选择来加以执行，相应于能够以所述瓦记录向所述第1区域写入的数据的第1写入容量来对能够向所述第2区域写入的数据的高速缓存数据容量进行变更，所述通常记录是在所述盘的半径方向上空开间隔来进行磁道的写入的记录，所述瓦记录是在所述半径方向上重叠地进行磁道的写入的记录。

本申请享受以日本专利申请2020－4290号(申请日：2020年1月15日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及磁盘装置以及记录容量的设定方法。

背景技术

近年来，开发了具有实现高记录密度的技术的磁盘装置。作为实现高记录密度的磁盘装置，具有在盘的半径方向上进行多个磁道的重叠写入的瓦记录型式(Shingledwrite Magnetic Recording：SMR，或者Shingled Write Recording：SWR)的磁盘装置。另外，也具有能够对通常记录型式和瓦记录型式进行选择来加以执行的磁盘装置，通常记录型式在盘的半径方向上空开间隔地进行多个磁道的写入。能够对通常记录型式和瓦记录型式进行选择来加以执行的磁盘装置为了实现以瓦记录型式向盘写入数据时的暂时性的数据的保持、刷新写入，需要容量比以通常记录型式向盘写入数据时所需要的容量大的媒体(media，介质)高速缓存。

发明内容

本发明的实施方式提供能够高效地写入数据的磁盘装置以及记录容量的设定方法。

本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘，其具有第1区域和第2区域，所述第2区域供暂时性地写入向所述第1区域写入之前的数据；头，其对所述盘写入数据，从所述盘读取数据；以及控制器，其对通常记录和瓦记录进行选择来加以执行，根据能够以所述瓦记录向所述第1区域写入的数据的第1写入容量来对能够向所述第2区域写入的数据的高速缓存数据容量进行变更，所述通常记录是在所述盘的半径方向上空开间隔来进行磁道的写入的记录，所述瓦记录是在所述半径方向上重叠地进行磁道的写入的记录。

附图说明

图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。

图2是表示第1实施方式涉及的头相对于盘的配置的一个例子的示意图。

图3是表示通常记录处理的一个例子的示意图。

图4是表示瓦记录处理的一个例子的示意图。

图5是表示通常记录区域和瓦记录区域的一个例子的示意图。

图6是表示第1实施方式涉及的盘的状态的一个例子的示意图。

图7是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域的数量的变化和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域的数量的变化的一个例子的示意图。

图8是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域的数量的变化和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域的数量的变化的一个例子的示意图。

图9是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域的数量的变化的一个例子的示意图。

图10是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域的数量的变化和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域的数量的变化的一个例子的示意图。

图11是表示瓦记录容量相对于瓦记录带区域SBA的数量的变化和媒体高速缓存容量相对于瓦记录带区域的数量的变化的一个例子的示意图。

图12是表示第1实施方式涉及的盘的记录容量的设定方法的一个例子的流程图。