[发明专利]背板和背板的制备方法

说明书

本申请提供一种背板和背板的制备方法，制备方法包括：在衬底上依次制备第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层，第一金属层图案化形成第一导电构件和第二导电构件，第二金属层图案化形成第三导电构件和第四导电构件；刻蚀钝化层和绝缘层形成第一、第二、第三、第四过孔、以及与第四导电构件对应的第五过孔；在钝化层上制备材料包括金属氧化物半导体的连接构件，图案化形成第一连接构件和第二连接构件，第一连接构件通过第一过孔与第一导电构件连接，通过第二过孔与第三导电构件连接，第二连接构件通过第三过孔与第二导电构件连接，通过第四过孔与第四导电构件连接；用极紫外光照射连接构件。本申请降低了第一金属层和第二金属层的接触电阻。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种背板和背板的制备方法。

背景技术

现有的AM Mini LED背板中，背板包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，在芯片绑定区和背光源绑定区内，通常使用氧化铟锡(ITO)材料实现第一金属层和第二金属层的搭接，然而，在制备ITO搭接层后，芯片绑定区内的铜绑定端子处于暴露状态，因此无法对ITO进行退火处理，会使第一金属层和第二金属层的接触电阻较大，影响后续点灯的效果。

因此，现有的AM Mini LED背板存在第一金属层和第二金属层间接触电阻过大的技术问题，需要改进。

发明内容

本申请实施例提供一种背板和背板的制备方法，用以缓解现有的AM Mini LED背板中第一金属层和第二金属层间接触电阻过大的技术问题。

本申请提供一种背板的制备方法，所述背板包括芯片绑定区、驱动电路区以及背光源绑定区，所述制备方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上依次制备第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层，所述第一金属层图案化形成位于所述芯片绑定区内的第一导电构件和所述背光源绑定区内的第二导电构件，所述第二金属层图案化形成位于所述芯片绑定区内的第三导电构件和所述背光源绑定区内的第四导电构件；

刻蚀所述钝化层和所述绝缘层，形成位于所述芯片绑定区内的第一过孔和第二过孔、以及位于所述背光源绑定区内的第三过孔、第四过孔和第五过孔，所述第五过孔与所述第四导电构件对应；

在所述钝化层上制备连接构件，所述连接构件材料包括金属氧化物半导体，所述连接构件图案化形成第一连接构件和第二连接构件，所述第一连接构件通过所述第一过孔与所述第一导电构件连接，通过所述第二过孔与所述第三导电构件连接，所述第二连接构件通过所述第三过孔与所述第二导电构件连接，通过所述第四过孔与所述第四导电构件连接；

用极紫外光照射所述连接构件，以使所述连接构件电阻降低。

在本申请的背板的制备方法中，所述在所述钝化层上制备连接构件，所述连接构件材料包括金属氧化物半导体的步骤，包括：在所述钝化层上制备连接构件，所述连接构件材料包括铟锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锌锡氧化物中的至少一种。

在本申请的背板的制备方法中，所述用极紫外光照射所述连接构件，以使所述连接构件电阻降低的步骤，包括：用极紫外光源发射的极紫外光照射所述连接构件，所述极紫外光源的照射功率大于第一预设值。

在本申请的背板的制备方法中，所述用极紫外光照射所述连接构件，以使所述连接构件电阻降低的步骤，包括：用极紫外光源发射的极紫外光照射所述连接构件，所述极紫外光源的照射时间大于第二预设值。

在本申请的背板的制备方法中，所述用极紫外光照射所述连接构件，以使所述连接构件电阻降低的步骤之后，还包括：将背光源通过所述第五过孔与所述第四导电构件绑定。

在本申请的背板的制备方法中，所述在所述衬底上依次制备第一金属层、绝缘层、第二金属层和钝化层的步骤，还包括：在所述第一金属层和所述第二金属层之间、或所述衬底与所述第一金属层之间形成有源层。