[发明专利]硫酸根/氧化锆@SAPO-11复合材料及烃类异构催化剂与应用

权利要求书

1.一种硫酸根/氧化锆@SAPO-11复合材料的制备方法，其包括以下步骤：

（1）将磷源溶于去离子水中，搅拌均匀，得到溶液A；

（2）将铝源、硅源和结构导向剂依次加入溶液A中，搅拌得到凝胶B；其中，所述结构导向剂包括二正丙胺和/或二异丙胺；

（3）将步骤(2)中的凝胶B转入反应釜中，升至反应温度，晶化；其中，所述晶化温度为180-230℃，晶化时间为12-72h；

（4）晶化结束后，降低反应釜温度，取出釜内溶液，分离晶化产物，经过干燥、焙烧后得到SAPO-11分子筛；其中，所述焙烧温度为500-700℃，焙烧时间为4-12h；

（5）将锆金属源、配体和SAPO-11分子筛加入去质子化溶剂中，得到悬浮液C，其中，锆金属源、配体、SAPO-11分子筛的质量比为1-2:1-2:1-10，其中锆金属源、配体以整体分子的摩尔量计；所述配体包括均苯三甲酸、对苯二甲酸和4,4-联吡啶中的一种或两种以上的组合；

（6）对悬浮液C进行晶化；

（7）对晶化产物进行干燥、焙烧后得到氧化锆@SAPO-11复合材料；

（8）利用硫酸盐溶液对所述氧化锆@SAPO-11复合材料进行浸渍，经过干燥、焙烧后得到所述硫酸根/氧化锆@SAPO-11复合材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述锆金属源为锆无机盐。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述锆无机盐为氯化锆和/或氧氯化锆。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述去质子化溶剂包括乙二胺、氨水和N,N-二甲基甲酰胺中的一种或两种以上的组合。

5. 根据权利要求4所述的制备方法，其中，所述去质子化溶剂的用量为10-30 g/g 锆金属源。

6. 根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤（6）中，所述晶化温度为180-230 °C，晶化时间为12-72 h。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述硫酸盐包括硫酸铵和/或硫酸氢铵。

8. 根据权利要求1或7所述的制备方法，其中，所述浸渍采用的浸渍液的浓度为0.5-3mol/L。

9. 根据权利要求8所述的制备方法，其中，所述浸渍量为0.5-3 mL/g 氧化锆@SAPO-11。

10. 根据权利要求1所述的制备方法，其中，在步骤（7）和步骤（8）中，对晶化产物进行的焙烧以及浸渍后进行的焙烧的温度分别为500-700 °C，时间分别为4-12 h。

11.一种硫酸根/氧化锆@SAPO-11复合材料，其是根据权利要求1-10中任一项所述的制备方法制备得到。

12.一种烃类异构化催化剂，其载体为权利要求11所述的硫酸根/氧化锆@SAPO-11复合材料。

13.根据权利要求12所述的烃类异构化催化剂，其中，该烃类异构化催化剂是将权利要求11所述的硫酸根/氧化锆@SAPO-11复合材料成型，然后通过浸渍的方法负载金属组分，干燥、焙烧后得到。

14.根据权利要求13所述的烃类异构化催化剂，其中，所述金属组分包括Pt、Ni、Co、W和Mo中的一种或两种以上的组合。

15. 根据权利要求13所述的烃类异构化催化剂，其中，以烃类异构化催化剂的总重量计，所述金属组分的负载量为0.3-10 wt.%。

16. 根据权利要求13所述的烃类异构化催化剂，其中，干燥温度为70-120 °C，干燥时间为4-12 h。