[发明专利]半导体器件和半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

至少一个半导体结构；

层间绝缘层，其设置在所述半导体衬底和所述半导体结构上；

至少一个第一过孔结构，其穿透所述半导体衬底和所述层间绝缘层，所述第一过孔结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域在所述层间绝缘层的上表面具有第一宽度，所述第二区域从所述第一区域延伸，并且在所述半导体衬底的下表面具有第二宽度，其中，所述第一区域的侧表面和所述第二区域的侧表面在所述第一区域与所述第二区域之间的边界表面具有不同的轮廓；以及

至少一个第二过孔结构，其穿透所述半导体衬底和所述层间绝缘层，并且在所述层间绝缘层的上表面具有大于所述第一宽度的第三宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一宽度小于所述第二宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二区域的至少一部分具有从所述边界表面增大的宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一区域的至少一部分具有从所述边界表面增大的宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二区域的侧表面在与所述边界表面相邻的区域中具有弯曲形状。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二区域的侧表面具有浮雕结构。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个第一过孔结构和所述至少一个第二过孔结构被配置为传输不同的信号。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述至少一个第一过孔结构被配置为传输数据信号，并且所述至少一个第二过孔结构被配置为传输电源信号。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个第一过孔结构的侧表面和所述至少一个第二过孔结构的侧表面具有不同的轮廓。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述边界表面位于所述半导体衬底中。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个第一过孔结构的长度与所述至少一个第二过孔结构的长度相同。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三宽度小于所述第二宽度。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三宽度大于所述第二宽度。

14.一种半导体封装件，包括：

第一半导体器件；以及

第二半导体器件，其与所述第一半导体器件堆叠，

其中，所述第一半导体器件包括穿透所述第一半导体器件的至少一个第一过孔结构和至少一个第二过孔结构，并且

其中，所述至少一个第一过孔结构包括第一区域和第二区域，所述第一区域在所述第一半导体器件的上表面上具有第一宽度，所述第二区域在所述第一半导体器件的下表面上具有第二宽度，并且所述第一区域与所述第二区域之间的边界表面的宽度小于所述第一宽度。

15.根据权利要求14所述的半导体封装件，其中，所述至少一个第二过孔结构的第三宽度大于所述第一宽度。

16.根据权利要求14所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件安装在封装衬底上，并且所述第一半导体器件包括被配置为存储数据的至少一个存储器裸片。