[发明专利]存储器装置及其读取方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其中，包括：

多个存储器串，各该存储器串包括多个存储单元，各该存储单元具有指示一存储数据值的阈值电压，

多条位线，这些位线中的各位线分别耦接各对应的存储器串，

多条字线，这些字线中的各字线分别耦接这些存储器串中的各对应的存储单元；以及

一控制电路，耦接这些存储器串，

该控制电路于一第一读取期间提供一第一读取电压至一被选择的字线，提供一通过电压至多条未被选择的字线，并提供一第一位线电压至各位线，将该被选择的字线进入一预设状态的存储单元判断为已完成读取的存储单元，将该被选择的字线未进入该预设状态的存储单元判断为未完成读取的存储单元，

该控制电路于一第二读取期间提供一第二读取电压至该被选择的字线，提供该通过电压至该未被选择的字线，提供该第一位线电压至具有该未完成读取的存储单元的位线，并提供一第二位线电压至具有该已完成读取的存储单元的位线，其中该第一位线电压不同于该第二位线电压，

该控制电路依据该被选择的字线的存储单元在该第一读取期间与该第二读取期间是否进入该预设状态来判断存储于该被选择的字线的存储单元的数据值。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，该第二位线电压大于该第一位线电压。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，该预设状态为导通状态或断开状态。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，当该第一读取电压小于该第二读取电压时，该预设状态为导通状态，当该第一读取电压大于该第二读取电压时，该预设状态为断开状态。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，这些存储单元包括多阶存储单元、三阶存储单元或四阶存储单元。

6.一种存储器装置的读取方法，其中，该存储器装置包括多个存储器串、多条位线以及多条字线，各存储器串包括多个存储单元，各该存储单元具有指示一存储数据值的阈值电压，这些位线中的各位线分别耦接各对应的存储器串，这些字线中的各字线分别耦接这些存储器串中的各对应的存储单元，该存储器装置的读取方法包括：

于一第一读取期间，提供一第一读取电压至一被选择的字线，提供一通过电压至多条未被选择的字线，并提供一第一位线电压至各位线，将该被选择的字线进入一预设状态的存储单元判断为已完成读取的存储单元，将该被选择的字线未进入该预设状态的存储单元判断为未完成读取的存储单元；

于一第二读取期间，提供一第二读取电压至该被选择的字线，提供该通过电压至该未被选择的字线，提供该第一位线电压至具有该未完成读取的存储单元的位线，并提供一第二位线电压至具有该已完成读取的存储单元的位线，其中该第一位线电压不同于该第二位线电压；以及

依据该被选择的字线的存储单元在该第一读取期间与该第二读取期间是否进入该预设状态来判断存储于该被选择的字线的存储单元的数据值。

7.根据权利要求6所述的存储器装置的读取方法，其中，该第二位线电压大于该第一位线电压。

8.根据权利要求6所述的存储器装置的读取方法，其中，该预设状态为导通状态或断开状态。

9.根据权利要求8所述的存储器装置的读取方法，其中，当该第一读取电压小于该第二读取电压时，该预设状态为导通状态，当该第一读取电压大于该第二读取电压时，该预设状态为断开状态。

10.根据权利要求6所述的存储器装置的读取方法，其中，这些存储单元包括多阶存储单元、三阶存储单元或四阶存储单元。