[发明专利]一种心率检测芯片及其制备方法、可穿戴设备

权利要求书

1.一种心率检测芯片，其特征在于，包括发光区域和光电检测区域，所述发光区域包括至少一个发光二极管，所述光电检测区域包括至少一个光电二极管；

所述心率检测芯片包括：衬底；

第一掺杂层，设置于所述衬底上的一侧；所述第一掺杂层包括图案化的所述发光二极管的第一掺杂部和所述光电二极管的第一掺杂部；

有源层，设置于所述第一掺杂层远离所述衬底的一侧；所述有源层包括图案化的所述发光二极管的发光部和所述光电二极管的光电转换部；

第二掺杂层，设置于所述有源层远离所述第一掺杂层的一侧；所述第二掺杂层包括图案化的所述发光二极管的第二掺杂部和所述光电二极管的第二掺杂部；

电流扩散层，设置于所述第二掺杂层远离所述有源层的一侧；

反射层和绝缘层，所述绝缘层设置于所述电流扩散层远离所述第二掺杂层的一侧；所述反射层设置于所述绝缘层远离所述电流扩散层的一侧；

电极层，所述电极层设置于所述反射层远离所述绝缘层的一侧；

所述电极层形成有所述发光二极管的第一电极和第二电极，以及所述光电二极管的第一电极和第二电极；

所述发光二极管的第一电极通过依次穿过所述反射层、所述绝缘层、所述电流扩散层、所述第二掺杂层和所述有源层的第一通孔与所述发光二极管的第一掺杂部连接；所述发光二极管的第二电极通过依次穿过所述反射层和所述绝缘层的第二通孔与所述电流扩散层连接；

所述光电二极管的第一电极通过依次穿过所述反射层、所述绝缘层、所述电流扩散层、所述第二掺杂层和所述有源层的第三通孔与所述光电二极管的第一掺杂部连接；所述光电二极管的第二电极通过依次穿过所述反射层和所述绝缘层的第四通孔与所述电流扩散层连接。

2.根据权利要求1所述的心率检测芯片，其特征在于，所述第一掺杂层为N型掺杂层；所述第二掺杂层为P型掺杂层。

3.根据权利要求1所述的心率检测芯片，其特征在于，还包括：缓冲层；

所述缓冲层设置于所述衬底和所述第一掺杂层之间。

4.根据权利要求1所述的心率检测芯片，其特征在于，所述电流扩散层使得所述电流扩散层电流均匀。

5.根据权利要求4所述的心率检测芯片，其特征在于，所述反射层用于将所述发光二极管发出的光反射至所述心率检测芯片靠近所述衬底的一侧。

6.根据权利要求1所述的心率检测芯片，其特征在于，所述发光区域设置于中心区域；所述光电检测区域围绕所述发光区域设置。

7.一种如权利要求1-6任一项所述的心率检测芯片的制备方法，其特征在于，所述心率检测芯片包括发光区域和光电检测区域，所述发光区域用于形成至少一个发光二极管，所述光电检测区域用于形成至少一个光电二极管，所述心率检测芯片的制作方法包括：

提供衬底；依次在所述衬底上形成第一掺杂层、有源层和第二掺杂层；

通过深刻蚀工艺对所述第一掺杂层、所述有源层和所述第二掺杂层进行图形化处理，以在所述发光区域定义所述发光二极管的图形，并在所述光电检测区域定义所述光电二极管的图形。