[发明专利]一种电能表的编程事件记录数据存储方法

说明书

本发明公开了一种电能表的编程记录数据存储方法。本发明的技术方案是在电能表使用外部FLASH的基础上，使用的一种全新的编程记录数据存储方法。电能表中划分两个存储区域，第1个区域存储上1次编程事件记录，第2个区域存储上2到上10次编程事件记录。通过不断写入第1个区域的最新块，解决了上1次编程记录无法多次写入的问题。通过上1次编程数据结束时，转存第1个区域当前块数据到第2个区域的方式，实现了上2到上10次编程记录的生成。

技术领域

本发明涉及电能表数据存储领域，具体是一种电能表的编程事件记录数据存储方法。

背景技术

在中华人民共和国电力行业标准DL/T 645-2007表A.4事件记录数据标识编码表中要求电能表实现编程事件记录功能，记录要求如下表：

按照要求需要记录上1到上10次的编程事件记录，而且上1次的编程事件记录中编程的前10个数据标识码是一直在变化的，因为EEPROM可以在同一区域反复进行写入，常用的电能表都是通过EEPROM进行编程事件记录数据的存储。随着电能表功能和各种记录要求的增加，EEPROM已经无法满足现有电能表的存储需求，因此在外部FLASH上设计一种编程事件记录数据存储方法就成为了很迫切的需求。

发明内容

本发明公开了一种应用于FLASH的电能表的编程事件记录数据存储方法。主要目的是克服现有EEPROM存储空间小的缺陷，在FLASH上实现对应的编程事件记录数据存储。

其特征在于：a、使用外部FLASH进行编程事件记录的存储。b、编程事件记录数据存储分两个区域，第1个区域存储上1次编程事件记录，第2个区域存储上2到上10次编程事件记录。c、第1个区域使用1页存储包含75个块数据，第2个区域使用2页存储包含150个块数据。d、当修改上1次编程事件记录中的编程的前10个数据标识码时，需要使用第1个区域中的一个新的块数据进行记录。e、当开启一次新的编程记录时，需要将第1个区域中的最新块数据复制到第2个区域中。f、当读取上1次编程记录时，从第1个区域中找到最新块数据进行返回，当读取上2到上10次编程记录M时，从第2个区域中找到最新块数据,并回退M-2块，将对应的块数据进行返回。

所述外部FLASH，包含NOR FLAH和NAND FLASH。

所述块数据，包含编程总次数，发生时刻，操作者代码，编程的前10个数据标识码。见附图。

附图说明

图1：块数据存储结构。

具体实施方式

详述具体实施方式如下：

当电能表记录编程事件记录时，首先读取第2个区域中最新块的编程总次数，如果第2个区域中没有最新块，则编程总次数置0。将读取到的编程总次数加1和对应的发生时刻、操作者代码、编程的第1个数据标识码，后面9个数据标识码补FF，写入第一个区域。写入后，如果没有结束本次编程事件记录，再有新的数据标识码写入时，重起一个新的块数据，将旧块数据上的编程总次数、发生时刻、操作者代码复制到新的块数据中，然后将最新的数据标识码写入到编程的第1个数据标识码位置上，其他老数据标识码依次递推1个位置后，再写入新的块数据中。如果再进行新的数据标识码写入时，再次进行上述操作。

当结束本次编程事件记录，再开启一次新的编程事件记录时，将第1个区域中的最新块数据冻结，写入到第2个区域的最新块中，形成上2次编程事件记录。再有新的编程事件记录时，第2个区域再开辟一个新块，再将第1个区域中的最新块数据冻结并写入。第2个区域中的最新块是上2次编程事件记录，后面的块数据依次对应上3到上10次编程事件记录。

需要读取编程事件记录时，如果读取编程总次数，从第1个区域中，找到最后一次写入的块数据，并找到对应的编程总次数，然后返回对应的数据；如果读取上1次编程事件记录，则从第1个区域中，找到最后一次写入的块数据，返回对应的数据；如果读取上2到上10次编程事件记录M时，则从第2个区域中，首先找到最后一次写入的块数据，然后回退M-2块，返回对应的数据。