[发明专利]改善三维存储器电性的方法及三维存储器有效
| 申请号： | 202010656627.8 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN111769118B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 徐文浩;宋月;魏君;陈松超;张高升 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 三维 存储器 方法 | ||
1.一种改善三维存储器电性的方法，所述三维存储器包括：衬底、位于所述衬底上的堆叠结构及穿过所述堆叠结构的垂直沟道结构，所述方法包括以下步骤：
在所述堆叠结构上沉积氮化硅层；以及
在氢气氛围下对所述三维存储器进行热处理；
其中，所述氮化硅层中的氢离子经所述热处理扩散至所述垂直沟道结构中；
所述垂直沟道结构的底部具有外延层，所述氮化硅层中的氢离子经所述热处理扩散至所述外延层中；在氢气氛围下对所述三维存储器进行热处理之后还包括：去除所述氮化硅层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三维存储器还包括位于所述氮化硅层和所述堆叠结构之间的金属互联结构以及金属间介质层，所述氮化硅层中的氢离子通过所述金属互联结构扩散至所述垂直沟道结构中。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层中的氢离子含量至少为1.98*1022/cm2。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为：
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述堆叠结构上沉积所述氮化硅层的方法包括以的沉积速率沉积所述氮化硅层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，沉积所述氮化硅层的反应气体包括甲硅烷和氨气，所述甲硅烷和所述氨气的配比至少为1.5:1。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，沉积所述氮化硅层的射频功率为：600-1000W。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，沉积所述氮化硅层的腔室压力为：530-670Pa。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述氮化硅层之后还包括：
在所述堆叠结构上形成金属互联结构及金属间介质层；以及
在所述金属间介质层上沉积钝化层。
10.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，去除所述氮化硅层之后还包括：
在所述金属间介质层上沉积钝化层。
11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述钝化层的材料为氮化硅，且厚度为：
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述垂直沟道结构的侧壁具有半导体层，所述氮化硅层中的氢离子经所述热处理扩散至所述半导体层中。
13.一种使用权利要求1所述的方法制作的三维存储器，包括：
衬底；
位于所述衬底上的堆叠结构；以及
穿过所述堆叠结构的垂直沟道结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
