[发明专利]太赫兹装置

权利要求书

1.一种太赫兹装置，具备：

太赫兹元件，产生电磁波；

介电体，包含介电材料，且包围所述太赫兹元件；

气体空间，存在气体；及

反射部，具有介隔所述介电体及所述气体空间而与所述太赫兹元件对向的部分，使从所述太赫兹元件产生且经由所述介电体及所述气体空间传输的电磁波朝向一方向反射；且

所述太赫兹元件的折射率即元件折射率高于所述气体的折射率即气体折射率，

所述介电体的折射率即介电折射率低于所述元件折射率且高于所述气体折射率。

2.根据权利要求1所述的太赫兹装置，其中

所述太赫兹元件具有元件基板，且

所述元件折射率为所述元件基板的折射率。

3.根据权利要求2所述的太赫兹装置，其中

所述元件基板包含InP。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的太赫兹装置，其中

所述气体为空气。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的太赫兹装置，其中

所述介电体包含环氧树脂。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的太赫兹装置，其中

具备天线基座，所述天线基座具有介隔所述介电体及所述气体空间而与所述太赫兹元件对向的天线面，且

所述反射部是形成于所述天线面的反射膜。

7.根据权利要求6所述的太赫兹装置，其中

所述天线基座由绝缘性材料形成。

8.根据权利要求6或7所述的太赫兹装置，其中

所述太赫兹元件具有元件主面及元件背面作为与该太赫兹元件的厚度方向交叉的面，

所述元件主面具有振荡点，

所述元件背面是与所述元件主面为相反侧的面，且

所述介电体具有：

介电主面，在所述太赫兹元件的厚度方向上与所述反射膜对向；及

介电背面，是与所述介电主面为相反侧的面。

9.根据权利要求8所述的太赫兹装置，其中

从所述太赫兹元件的厚度方向观察，所述反射膜形成得比所述太赫兹元件大。

10.根据权利要求8或9所述的太赫兹装置，其中

所述气体空间是由所述介电主面及所述天线面划分而成。

11.根据权利要求10所述的太赫兹装置，其中

所述天线基座具备：

基座主面，与所述介电主面对向；及

天线凹部，从所述基座主面凹陷；且

所述天线面为所述天线凹部的内表面，以向远离所述太赫兹元件的方向凹陷的方式弯曲。

12.根据权利要求11所述的太赫兹装置，其中

所述反射膜形成于所述天线面，但不形成于所述基座主面。

13.根据权利要求11或12所述的太赫兹装置，其中

所述天线凹部具有与所述天线面相比扩径的扩径面、及形成于所述天线面与所述扩径面之间的阶差面，且

所述反射膜遍及所述天线面及所述阶差面而形成。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的太赫兹装置，其中

具备将所述介电体与所述天线基座固定的固定部。

15.根据权利要求14所述的太赫兹装置，其中

所述固定部包含设置在所述基座主面与所述介电主面之间使所述介电体与所述天线基座黏接的黏接层，且

所述气体空间通过所述黏接层密闭。