[发明专利]发光装置在审
申请号: | 202010657475.3 | 申请日: | 2020-07-09 |
公开(公告)号: | CN112216729A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 日当翔马;冲田彰 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,包括:
显示元件和红外发光元件,其配置在绝缘层上;以及
减少器,其被配置为减少在从与所述绝缘层垂直的方向俯视观看时从所述红外发光元件在所述显示元件的方向上发射的光的量。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述减少器包括光吸收层,在从与所述绝缘层垂直的方向俯视观看时所述光吸收层配置在所述显示元件和所述红外发光元件之间,并且所述光吸收层吸收可见光的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的发光装置,其中,所述红外发光元件包括如下的元件,该元件从所述绝缘层起依次包括第一电极、发光层和第二电极,以及
其中,所述光吸收层被配置得比所述第二电极更靠近出光侧。
4.根据权利要求1所述的发光装置,还包括:
另一显示元件,其与所述显示元件相邻地配置,
其中,在所述显示元件和所述红外发光元件之间的距离是第一距离并且所述显示元件和所述另一显示元件之间的距离是第二距离的情况下,所述减少器被配置为使得所述第一距离大于所述第二距离。
5.根据权利要求4所述的发光装置,其中,所述第一距离大于或等于所述第二距离的两倍。
6.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述显示元件从所述绝缘层起依次包括第一电极、发光层、第二电极和滤色器,
其中,在所述显示元件和所述红外发光元件之间的距离是第一距离并且所述第二电极和所述滤色器之间的距离是第三距离的情况下,所述减少器被配置为使得所述第一距离大于所述第三距离。
7.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述显示元件从所述绝缘层起依次包括第一电极、发光层、第二电极和滤色器,
其中,在所述显示元件和所述红外发光元件之间的距离是第一距离并且所述发光层的所述第二电极侧的界面和所述滤色器之间的距离是第四距离的情况下,所述减少器被配置为使得所述第一距离大于所述第四距离。
8.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述红外发光元件从所述绝缘层起依次包括第一反射面、发光层和第二反射面,
其中,所述第一反射面和所述第二反射面之间的距离是使红外范围内的光的强度增大的距离,以及
其中,所述减少器被配置为使得红外范围内的光的强度增大。
9.根据权利要求8所述的发光装置,其中,所述第一反射面和所述第二反射面之间的距离是使所述红外范围内的光的强度增大并且使可见光范围内的光的强度减小的距离。
10.根据权利要求8所述的发光装置,其中,所述显示元件从所述绝缘层起依次包括第一反射面、发光层和第二反射面,并且所述显示元件的第一反射面和第二反射面之间的距离与所述红外发光元件的第一反射面和第二反射面之间的距离彼此不同。
11.根据权利要求1所述的发光装置,还包括:
第一发光区域和第二发光区域,所述第一发光区域发射可见光,所述第二发光区域发射红外光,所述第一发光区域包括所述显示元件,并且所述第二发光区域包括所述红外发光元件,
其中,所述第二发光区域被配置在所述第一发光区域和所述绝缘层的端部之间,并且所述第一发光区域未被配置在所述第二发光区域和所述绝缘层的该端部之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的