[发明专利]无机瓷粉及其制备方法、LTCC生瓷带

权利要求书

1.一种无机瓷粉，其特征在于，其由40-60wt%的陶瓷烧结助剂、40-60wt%的陶瓷填充相和0.2~1.5wt%Cu₂O混合制备而成，其中，所述陶瓷填充相为氧化铝，所述陶瓷烧结助剂为钙镧硼系烧结助剂，所述钙镧硼系烧结助剂以质量百分数计，其组成为25~40%的B₂O₃、35~45%的La₂O₃、20-30%的CaO、0~5%的P₂O₅、0~5%的Na₂O、0~5的Li₂O和0~3%的Al₂O₃；所述钙镧硼系烧结助剂采用煅烧法制备，按照钙镧硼系烧结助剂的组成称取硼源、镧源、钙源、磷源、钠源、锂源和铝源充分混合后，将混合后的粉料煅烧即得所述钙镧硼系烧结助剂，所述煅烧的具体工艺为：以1~5℃/min的升温速率升到700~800℃煅烧30-60分钟后，随炉冷却，然后进行粉碎、球磨、干燥。

2.如权利要求1所述的无机瓷粉，其特征在于，所述陶瓷烧结助剂的粒径为0.5~5μm，所述陶瓷填充相的粒径在0.3~5μm。

3.一种无机瓷粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

以质量百分数计，按照钙镧硼系烧结助剂的组成为25~40%的B₂O₃、35~45%的La₂O₃、20-30%的CaO、0~5%的P₂O₅、0~5%的Na₂O、0~5的Li₂O和0~3%的Al₂O₃，称取硼源、镧源、钙源、磷源、钠源、锂源和铝源充分混合后，将混合后的粉料煅烧即得所述钙镧硼系烧结助剂，所述煅烧的具体工艺为：以1~5℃/min的升温速率升到700~800℃煅烧30-60分钟后，随炉冷却，然后进行粉碎、球磨、干燥；

将40-60wt%的所述钙镧硼系烧结助剂、40-60wt%的陶瓷填充相和0.2~1.5wt%Cu₂O充分混合，制得无机瓷粉。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述硼源选自H₃BO₃，所述镧源选自La₂O₃、所述钙源选自CaCO₃或Ca₃(PO₄)₂、所述磷源选自Ca₃(PO₄)₂、所述钠源选自Na₂CO₃、所述锂源选自Li₂CO₃、所述铝源选自Al₂O₃。

5.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述陶瓷填充相为氧化铝。

6.一种LTCC生瓷带，其特征在于，其由如权利要求1或2所述的无机瓷粉制备而成。

7.如权利要求6所述的LTCC生瓷带，其特征在于，其制备包括以下步骤：

将所述无机瓷粉与分散剂、增塑剂和溶剂混合均匀后，向其中加入流延载体后混合均匀后制成流延浆料，对流延浆料进行脱泡处理后，流延制得LTCC生瓷带，其中，所述流延载体的质量百分比为30%，其由粘结剂完全溶解于溶剂中制备而成；所述流延浆料中无机瓷粉占质量百分比50~60%、粘结剂占5~10%、溶剂占30~40%、分散剂占0.5~1%、增塑剂占1~3%。