[发明专利]竖直马兰戈尼晶圆处理装置有效
| 申请号： | 202010660051.2 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111540702B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 李长坤;赵德文;路新春 | 申请（专利权）人： | 清华大学;华海清科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 竖直 马兰 戈尼晶圆 处理 装置 | ||
1.一种竖直马兰戈尼晶圆处理装置，包括：用于竖直旋转晶圆的驱动机构、用于输送流体的供给臂以及箱体；
所述供给臂可竖直地摆动并经由设置于其自由端处的喷嘴组件将流体供应至晶圆上；
其特征在于，所述喷嘴组件包括具有喷嘴的第一喷嘴臂和第二喷嘴臂，所述第一喷嘴臂和第二喷嘴臂沿所述供给臂延长，可旋转地固定配置于所述供给臂的自由端；
所述第一喷嘴臂位于第二喷嘴臂下方，所述第一喷嘴臂具有一个喷嘴并且第二喷嘴臂具有两个喷嘴；
所述第一喷嘴臂的喷嘴设置成垂直于第一喷嘴臂，并且所述第一喷嘴臂相对于使其喷嘴垂直于晶圆所在平面的定向朝下倾斜以使其喷嘴朝晶圆倾斜喷射；
所述第一喷嘴臂及其喷嘴用于输送并喷射漂洗液，所述第二喷嘴臂及其喷嘴用于输送并喷射含表面活性物质的干燥气体。
2.如权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一喷嘴臂相对于使其喷嘴垂直于晶圆所在平面的定向绕其轴线朝下倾斜0°至50°。
3.如权利要求2所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一喷嘴臂相对于使其喷嘴垂直于晶圆所在平面的定向绕其轴线朝下倾斜15°至45°。
4.如权利要求3所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第二喷嘴臂绕其轴线方向相对于使其喷嘴垂直于晶圆平面的定向朝下旋转倾斜10°至60°，使得第二喷嘴臂的喷嘴相对于晶圆所在平面斜向下喷射。
5.如权利要求4所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第二喷嘴臂绕其轴线方向相对于使其喷嘴垂直于晶圆所在平面的定向朝下旋转倾斜20°至50°。
6.如权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第一喷嘴臂的喷嘴形成为直径不大于1mm的圆柱状喷嘴以避免反溅。
7.如权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述第二喷嘴臂的喷嘴设置成与第二喷嘴臂的轴线不垂直。
8.如权利要求1所述的晶圆处理装置，其特征在于，所述漂洗液中去离子水的含量不小于90%。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
