[发明专利]一种电极及其制备方法

权利要求书

1.一种电极，其特征在于，所述电极从下到上依次设置有：基板、SiO₂膜、第一铟锡氧化物层和第二铟锡氧化物层；其中所述第二铟锡氧化物层中的Sn和In的组成比为50％或50％以上；所述基板为碱石灰玻璃；

所述第一铟锡氧化物为将第一铟锡有机络合物溶液放置在原液雾化装置的振动盘上，启动电机后振动盘产生5khz-kmhz频率的振动，将溶液进行雾化，在载气的携带下从原液雾化装置的上方出来的雾化后的第一络合物，并将雾化后的第一络合物分解为氧化铟和氧化锡。

2.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，所述第一铟锡氧化物层中的Sn和In的组成比为5％-10％。

3.一种电极制备方法，其特征在于，包括：

在基板上沉积一层SiO₂膜；所述基板为碱石灰玻璃；

准备第一铟锡有机络合物溶液，其中锡和铟的比例分别控制在5％-10％；将所述第一铟锡有机络合物溶液进行雾化，具体包括：

将第一铟锡有机络合物溶液放置在原液雾化装置的振动盘上，启动电机后振动盘产生5khz-kmhz频率的振动，将溶液进行雾化，在载气的携带下从原液雾化装置的上方出来，得到雾化后的第一络合物；

将雾化后的第一络合物分解为氧化铟和氧化锡；再将所述第一络合物分解的氧化铟和氧化锡扩散并沉积到所述SiO₂膜上，形成第一铟锡氧化物层；

准备第二铟锡有机络合物溶液，其中锡和铟的比例控制在50％或50％以上；将所述第二铟锡有机络合物溶液进行雾化；将雾化后的第二络合物分解为氧化铟和氧化锡；再将所述第二络合物分解的氧化铟和氧化锡扩散并沉积到所述第一铟锡氧化物层上，形成第二铟锡氧化物层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二铟锡氧化物层的厚度为10m-30nm。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一铟锡氧化物层的厚度为100nm-150nm。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在基板上沉积一层SiO₂膜，具体为：在基板上使用化学气相沉积法、物理气相沉积法或溶胶凝胶法沉积一层SiO₂膜。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一铟锡有机络合物溶液和所述第二铟锡有机络合物溶液中的有机溶剂为乙醇、乙二醇或异丙醇。