[发明专利]PECVD设备及其所用的PECVD镀膜方法

权利要求书

1.一种PECVD设备，其包括：

外腔；

内腔上盖，其设置在所述外腔内；

滚轮模块，其设置在所述外腔内并位于所述内腔上盖下方，所述滚轮模块包括用于支撑或驱动托盘的多个滚轮组、用于驱动多个滚轮组升降以在托盘接送位和托盘封闭位之间移动的第一驱动模块、以及用于驱动多个滚轮组转动从而驱动托盘水平移动的第二驱动模块；以及

控制模块，其配置成控制所述第二驱动模块驱动所述多个滚轮组在托盘接送位接收水平送入外腔的托盘并将其水平传送到位，并在所述托盘水平传送到位后控制所述第一驱动模块向上驱动所述多个滚轮组使其进入托盘封闭位，进入托盘封闭位的所述多个滚轮组顶推其所支撑的托盘在托盘边缘处与所述内腔上盖的末端相压靠，从而形成由所述内腔上盖和所述托盘构成的、用于进行PECVD成膜工艺的内腔；

所述PECVD设备包括围绕所述多个滚轮组设置的、呈框状的下压板，所述控制模块控制第一驱动模块驱动所述下压板在最低位及托盘封闭位之间移动，所述下压板在最低位时其上表面低于位于托盘接送位的所述多个滚轮组的滚轮传送面，所述下压板在托盘封闭位时其上表面与位于托盘封闭位的所述多个滚轮组的滚轮传送面持平。

2.根据权利要求1所述的PECVD设备，其特征在于，所述PECVD设备还包括射频电源，所述射频电源包括正极和与地电性连接的负极；所述内腔上盖包括底壁以及围绕底壁设置的侧壁，所述底壁中设置有电加热模块，所述底壁贯通开设有用于通入PECVD成膜工艺气体的供气通路，由所述侧壁和底壁围成的盖腔中设置有用于连接射频电源正极的上极板，所述侧壁的末端设置有封闭圈，所述封闭圈压靠由进入所述托盘封闭位上的所述多个滚轮组顶推的所述托盘的边缘。

3.根据权利要求2所述的PECVD设备，其特征在于，所述下压板在托盘封闭位时其上表面与位于托盘封闭位的所述多个滚轮组的滚轮传送面持平，并共同将所述托盘的边缘压靠在所述封闭圈上。

4.根据权利要求3所述的PECVD设备，其特征在于，所述内腔上盖、位于所述托盘封闭位上的所述多个滚轮组、下压板及其支撑的所述托盘均与地电性连接，所述控制模块控制工艺气体源经由所述供气通路向所述内腔供应PECVD成膜工艺气体，并控制所述射频电源提供射频电能而将PECVD成膜工艺气体激发成等离子体，使得所述等离子体沉积在由所述托盘承载的硅片上。

5.根据权利要求1所述的PECVD设备，其特征在于，所述PECVD设备还包括设置在所述外腔中的红外加热器组和反射板，所述红外加热器组设置在所述多个滚轮组下方，所述反射板设置在所述红外加热器下方且通过反射阻挡红外线穿过，所述控制模块在所述内腔进行PECVD成膜工艺时通过控制电加热模块和红外加热器组将所述内腔的温度控制在150～300摄氏度。

6.根据权利要求5所述的PECVD设备，其特征在于，所述PECVD设备还包括设置在所述外腔内且位于所述多个滚轮组下方的限位件，所述控制模块控制所述第一驱动模块同时驱动所述多个滚轮组和下压板从托盘封闭位下降至所述托盘接送位，所述限位件阻挡位于所述托盘接送位中的所述多个滚轮组继续下降，所述控制模块在所述下压板下降至所述托盘接送位后，继续控制所述第一驱动模块驱动所述下压板下降至其最低位。