[发明专利]利用原位布里渊散射光谱分析三方晶系材料折射率的方法有效
申请号: | 202010660571.3 | 申请日: | 2020-07-10 |
公开(公告)号: | CN111855614B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 吴永全;王旭;陶倩 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | G01N21/45 | 分类号: | G01N21/45 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 原位 布里渊散射 光谱分析 晶系 材料 折射率 方法 | ||
1.一种利用原位布里渊散射光谱分析三方晶系材料折射率的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)选用光学立式样品台,用于改变待测的三方晶系材料样品水平平面的方位角;
(2)将三方晶系材料样品放置在所述步骤(1)中采用的立式样品台上;
(3)选用带监视器的显微相机,用于入射光的聚焦;
(4)对散射配置进行改进,改变入射光与散射光的夹角,同时对三方晶系材料样品进行方位角调整;运用法布里-珀罗干涉仪,对三方晶系材料样品进行检测;
(5)对在所述步骤(4)检测得到的三方晶系材料样品的光谱图进行分析,从而获得三方晶系材料样品的折射率;
在所述步骤(4)中,对散射配置进行改进包括:改变入射光与散射光夹角,散射角范围为40~100°,以不大于10°为角度间隔;时刻调整三方晶系材料样品水平面的方位,确保三方晶系材料样品以焦点旋转,且三方晶系材料样品表面垂直于入射光与散射光的夹角平分线;
在所述步骤(5)中,对检测得到的光谱图进行分析,包括以下步骤:
a. 在测试三方晶系材料样品的布里渊散射光谱前,对法布里-珀罗干涉仪进行校准,维持测量精确度;然后对得到的三方晶系材料样品在不同散射角下进行光谱测试;
b. 将三方晶系材料样品在不同散射角下的布里渊光谱绘制在同一张图中;
c. 分析布里渊频移与散射角之间的变化,从而获取样品的折射率以及其他信息。
2.根据权利要求1所述利用原位布里渊散射光谱分析三方晶系材料折射率的方法,其特征在于,在所述步骤(3)中,选用带监视器的显微相机,用于观测聚焦点的变化,当焦点达到又小又亮时,确定为聚焦成功,可进行下一步测量。
3.根据权利要求1所述利用原位布里渊散射光谱分析三方晶系材料折射率的方法,其特征在于,在所述步骤(4)中,所用法布里-珀罗干涉仪设置参数为:激光激发波长为532nm,激光功率为1.2W,预设2mm镜间距,根据散射信号调整镜间距获得最佳的收集窗口范围。
4.根据权利要求1所述利用原位布里渊散射光谱分析三方晶系材料折射率的方法,其特征在于,在所述步骤(1)中,待测的三方晶系材料样品为SiO2晶体材料。
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