[发明专利]包括具有硅化物层的串选择线栅电极的三维存储器件

权利要求书

1.一种三维存储器件，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的单元堆叠；

设置在所述单元堆叠上的串选择线栅电极；

垂直地穿透所述单元堆叠的下垂直沟道结构；

上垂直沟道结构，其垂直地穿透所述串选择线栅电极并且连接到所述下垂直沟道结构；以及

设置在所述上垂直沟道结构上的位线，

其中所述串选择线栅电极包括下串选择线栅电极和形成在所述下串选择线栅电极的上表面上的上串选择线栅电极，

所述下串选择线栅电极包括N-掺杂的多晶硅，以及

所述上串选择线栅电极包括硅化物。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中

所述下垂直沟道结构包括：

下间隙填充图案；

围绕所述下间隙填充图案的侧壁的下沟道层；以及

围绕所述下沟道层的侧壁的存储层，

所述上垂直沟道结构包括：

上间隙填充图案；

围绕所述上间隙填充图案的侧壁的上沟道层；以及

围绕所述上沟道层的侧壁的绝缘衬垫，以及

所述上垂直沟道结构包括具有第一宽度的下部和具有第二宽度的上部，且所述第一宽度大于所述第二宽度。

3.根据权利要求2所述的三维存储器件，其中所述上沟道层包括：

与所述绝缘衬垫接触的第一上沟道层；

与所述下垂直沟道结构的所述存储层接触的第二上沟道层；以及

与所述下垂直沟道结构的所述下间隙填充图案接触的第三上沟道层。

4.根据权利要求3所述的三维存储器件，其中

所述第一上沟道层和所述第二上沟道层垂直地延伸，以及

所述第三上沟道层水平地延伸。

5.根据权利要求4所述的三维存储器件，其中所述下沟道层和所述第二上沟道层垂直地对准。

6.根据权利要求3所述的三维存储器件，其中所述上间隙填充图案包括：

由所述第一上沟道层围绕的上部；以及

由所述第二上沟道层围绕的下部，

其中所述上间隙填充图案的所述上部具有第三宽度，所述第三宽度比所述上间隙填充图案的所述下部的第四宽度窄。

7.根据权利要求6所述的三维存储器件，还包括形成在所述上间隙填充图案的所述下部中的空隙。

8.根据权利要求3所述的三维存储器件，其中所述第三上沟道层设置在所述下间隙填充图案与所述上间隙填充图案之间。

9.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中所述上串选择线栅电极包括：

与所述上垂直沟道结构相邻的突出部分；以及

与所述上垂直沟道结构间隔开的凹入部分，

其中所述突出部分在俯视图中具有光盘形状。

10.根据权利要求1所述的三维存储器件，还包括设置在所述上垂直沟道结构与所述位线之间的垫图案，

其中所述垫图案包括包含N-掺杂的多晶硅的下垫图案和包含硅化物的上垫图案。

11.根据权利要求10所述的三维存储器件，其中所述位线与所述上垫图案直接接触。

12.根据权利要求10所述的三维存储器件，其中所述垫图案的外表面和所述上沟道层的外表面垂直地对准。

13.根据权利要求1所述的三维存储器件，还包括串选择线分隔图案，其与所述下串选择线栅电极的侧壁和所述上串选择线栅电极的侧壁接触。

14.根据权利要求1所述的三维存储器件，还包括设置在所述衬底与所述单元堆叠之间的公共源极层，

其中所述公共源极层包括N-掺杂的多晶硅。