[发明专利]非接触式薄膜水氧透过性能测试方法

说明书

本发明提供一种非接触式薄膜水氧透过性能测试方法，在发光器件的Al电极和Alsubgt;2/subgt;Osubgt;3/subgt;基板上外接电源，使用仪器测得器件的初始电致发光谱图，记录下光谱图中红光和蓝光的波峰，记红光初始波峰为h，每隔一个固定的时间T，对器件施加电压并测量器件的电致发光谱图，观测在蓝光波峰不变的情况下，红光的波峰高度变化Δh，得到已经与水汽发生反应的有机材料厚度根据水的分子量M[Hsubgt;2/subgt;0]和有机发光材料的平均分子量M[OEAM]，将有机发光器件的电致发光光谱数据经过处理、修正，得到单位面积上T小时内封装材料的水汽透过率WVTR，水汽透过率的数据修正根据有机发光材料的类型而采用水汽透过率系数α进行修正，本发明提供了一种精度高的非接触式薄膜水氧透过性能测试方法。

技术领域

本发明涉及水氧检测方法技术领域，具体为非接触式薄膜水氧透过性能测试方法。

背景技术

红外传感器水汽透过率法测试原理，将制备好的样品夹于测试腔中，有一定相对湿度的氮气在薄膜的一侧流动，干燥氮气在薄膜的另一侧流动；在湿度梯度的推动下，水蒸气会从高湿侧穿过薄膜扩散到低湿侧；在低湿侧，透过的水蒸气被流动的干燥氮气送至红外传感器，进入传感器时会产生同比例的电信号，通过对传感器电信号的分析计算，从而得出试样的水蒸气透过率等参数，但是这一方法测试WVTR的范围最低只有10-2-10-3g/m2/24h，对于OLED器件来说，水汽透过率很大程度上决定其寿命，精确度更高的测量方法格外重要，一般需要达到10-6g/m2/24h，上述的红外传感器的无法满足OLED器件测试的需求，因此需要采用更精确的WVTR测试方法检测薄膜封装的效果。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种精度高的非接触式薄膜水氧透过性能测试方法，解决了上述背景技术中提出的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：非接触式薄膜水氧透过性能测试方法，包括如下步骤，

(1)先在500～550℃的温度下于Al₂O₃基板上低温生长一层厚度约5μm的无掺杂的u-GaN；

(2)升温至约1200℃，生长厚度约3μm的Si掺杂的n-GaN外延层；

(3)再将温度降至700～750℃，生长8～9个周期的In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱层，其中InGaN量子阱层厚度约3nm，GaN量子垒层厚度约11.5nm，最后再经高温退火炉在～1000℃下进行退火处理，得到蓝光LED基板；

(4)将需要蒸镀在蓝光LED基板上的各种药品放在蒸镀舱的舟源或坩埚源上，将处理好的蓝光LED基板放入蒸镀舱中的掩膜版上，关紧蒸镀室舱门并抽真空，当蒸镀舱内真空度达到10^-5mbar以下时开始蒸镀，蒸镀前对蒸镀材料对应的舟源或坩埚源进行预热，达到一定温度和合适速率后开始蒸镀，控制电流使得有机物的的蒸镀速率在根据这个步骤依次在蓝光LED基板上蒸镀一层有机红光材料和一层MoO₃作为器件的空穴传输层；

(5)蒸镀好各个有机层后，蒸镀一层Al作为该器件的电极，并控制Al的蒸镀速率在蒸镀300nm；

(6)对上述蒸镀好的有机材料层和金属电极进行封装，完成封装后得到完整的发光器件；

(7)在无机-有机复合发光器件的Al电极和Al₂O₃基板上外接电源，施加电压后器件的无机单元发蓝光，有机单元发红光，使用仪器测得器件的初始电致发光谱图，记录下光谱图中红光和蓝光的波峰，记红光初始波峰为h；