[发明专利]一种硅片研磨盘修正设备及其修正工艺

说明书

本发明涉及硅片研磨设备修正加工领域，具体涉及一种硅片研磨盘修正设备及其修正工艺，包括的上研磨盘系统、下研磨盘系统以及若干设置于所述上研磨盘系统和下研磨盘系统之间的修整轮，修整轮上的中心缺口处设置有回喷系统，通过在修正轮上设置回喷机构，利用回喷机构将上研磨盘系统与下研磨盘系统吸引之间的研磨液进行回收再喷洒利用，充分保证上研磨盘系统与下研磨盘系统之间研磨液的分布均匀，提高研磨效果的同时，减少研磨液的使用，解决现有研磨修正设备精度低、效率差及污染重的技术问题。

技术领域

本发明涉及硅片研磨设备修正加工领域，具体涉及一种硅片研磨盘修正设备及其修正工艺。

背景技术

硅片研磨是硅片加工中重要的工序之一，一般采用双面研磨方式，主要作用是去除硅片表面刀痕，修整厚度偏差，改善平坦度，得到均匀一致的表面损伤层；主要原理是将硅片放置在上下非常平整的研磨盘之间并施加一定的压力，在加入研磨液的同时使研磨盘和硅片作相对运动，完成硅片表面的微量切削。

硅片研磨盘的材质为硬质球墨铸铁，是研磨表面的成形工具，也是承载磨料的载体，其表面开有均匀的格子状沟槽，便于磨料的均匀流动、供给与排屑。在硅片表面材料被去除的同时，研磨盘也会相应磨损，为确保硅片的平坦度，防止研磨损伤等发生，必须确保和维持研磨盘的平整度，因此在一定时间或者一定硅片加工量后必须对研磨盘表面进行修整。目前硅片研磨盘的修整方法主要是用与研磨机相配套的圆盘状修正轮进行修整，修正轮的材料为与研磨盘相同的铸铁，修整研磨盘时将3～5个同规格的修正轮均匀地摆放在研磨盘上，同时均匀的加入用研磨砂、水和助磨剂配置好的研磨液，每次修整研磨盘时间约为2～3小时以20B研磨机的研磨盘外径尺寸φ1355mm为例。该修整方法，因需使用一定量配置好的研磨液，对环境有一定的污染，且铸铁材料与铸铁材料相互修整，存在效率较低，修整精度不高，研磨盘的损耗太大等问题。

因此，创新硅片研磨盘修整方法实现高精度、高效率、绿色清洁的修整效果，对提升硅片研磨盘高精度控形技术水平，丰富硅片研磨盘修整方法，提高硅片研磨表面质量，降低生产成本具有重要的现实意义。

在专利申请号为CN201822053269.2的中国专利中公开了一种带有自修正功能的石英晶体片研磨机，其结构包括工作台、上研磨盘、下研磨盘、立柱、控制面板；其中下研磨盘的中心设有转轴，转轴安装于工作台的上表面中心，立柱呈倒L型，其底部设于工作台的上表面一侧，其顶部通过气缸连接上研磨盘的转轴，控制面板设置于工作台的上表面另一侧；上研磨盘与下研磨盘的转轴同轴。本实用新型的优点：通过中心齿圈和外齿圈共同驱动游星轮公转和自转，并采用上研磨盘和下研磨盘同时对石英晶体片研磨，效率较高；在研磨过程中自适应修整研磨盘，充分保证研磨盘的平整度，具有设计科学、实用性强、使用方便、修盘高效等优点，但该专利文献仍未解决高精度、高效率、绿色清洁的技术问题。

发明内容

针对以上问题，本发明提供了一种硅片研磨盘修正设备及其修正工艺，通过在修正轮上设置回喷机构，利用回喷机构将上研磨盘系统与下研磨盘系统吸引之间的研磨液进行回收再喷洒利用，充分保证上研磨盘系统与下研磨盘系统之间研磨液的分布均匀，提高研磨效果的同时，减少研磨液的使用，解决现有研磨修正设备精度低、效率差及污染重的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种硅片研磨盘修正设备，包括同轴设置的上研磨盘系统、下研磨盘系统以及若干设置于所述上研磨盘系统和下研磨盘系统之间的修整轮，所述上研磨盘系统与所述下研磨盘系统反向旋转，所述上研磨盘系统上设置有供应研磨液的供液系统，所述下研磨盘系统与所述修整轮之间设置有行星齿轮联动系统，所述修整轮通过所述行星齿轮联动系统绕所述下研磨盘系统的中轴线公转的同时，该修整轮绕其自身的中轴线自转，其中，所述上研磨盘系统的水平旋转角速度为V1，所述修整轮的公转角速度为V2，V1:V2＝2：1；