[发明专利]集成芯片及其形成方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

绝缘体上硅衬底，包括位于有源层与基础层之间的绝缘体层；

半导体器件，设置在所述绝缘体上硅衬底的前侧上；

浅沟槽隔离结构，位于所述绝缘体上硅衬底的所述前侧上；

半导体芯结构，连续地环绕所述半导体器件且在第一方向上从所述绝缘体上硅衬底的所述前侧朝所述绝缘体上硅衬底的后侧延伸，其中所述半导体芯结构延伸穿过所述浅沟槽隔离结构；以及

第一绝缘体衬垫部分及第二绝缘体衬垫部分，分别环绕所述半导体芯结构的第一最外侧壁及所述半导体芯结构的第二最外侧壁，

其中所述第一绝缘体衬垫部分包括配置在所述浅沟槽隔离结构与所述绝缘体层之间的第一突起，其中所述第一突起在与所述第一方向不同的第二方向上远离所述半导体芯结构的所述第一最外侧壁延伸，且

其中所述第二绝缘体衬垫部分包括配置在所述浅沟槽隔离结构与所述绝缘体层之间的第二突起，其中所述第二突起在与所述第二方向相反的第三方向上远离所述半导体芯结构的所述第二最外侧壁延伸。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述第一突起及所述第二突起具有实质上弯曲的轮廓。

3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述第二方向及所述第三方向实质上垂直于所述第一方向。

4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述第一突起及所述第二突起具有最上表面，其配置在所述浅沟槽隔离结构的最底表面上方。

5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述第一突起及所述第二突起直接接触所述浅沟槽隔离结构。

6.一种集成芯片，包括：

基础层；

有源层，配置在所述基础层之上；

绝缘体层，分隔所述有源层与所述基础层；

浅沟槽隔离结构，从所述有源层的顶表面朝所述绝缘体层延伸；以及

深沟槽隔离结构，连续地分隔所述有源层的内侧区与所述有源层的外侧区，其中所述深沟槽隔离结构延伸穿过所述浅沟槽隔离结构、延伸穿过所述有源层并延伸到所述基础层中，且其中所述深沟槽隔离结构包括：

半导体芯结构，从所述有源层延伸到所述基础层，以及

绝缘体衬垫结构，覆盖所述半导体芯结构的最外侧壁，

其中所述绝缘体衬垫结构及所述半导体芯结构直接接触所述基础层，且

其中所述绝缘体衬垫结构在所述绝缘体衬垫结构的不同高度处具有变化的宽度，且在所述浅沟槽隔离结构与所述绝缘体层之间的高度处具有最大宽度。

7.根据权利要求6所述的集成芯片，其中所述绝缘体衬垫结构的第一部分包括第一突起，且所述绝缘体衬垫结构的第二部分包括第二突起，且其中所述绝缘体衬垫结构的所述第一部分与所述第二部分被所述半导体芯结构隔开。

8.根据权利要求7所述的集成芯片，其中所述第一突起及所述第二突起被配置成比所述绝缘体层更靠近所述浅沟槽隔离结构。