[发明专利]一种轻质耐辐照高反射率薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种轻质耐辐照高反射率薄膜，用于包覆在设备或管道表面，其特征在于：包括基体层（1）、过渡层（2）、高反射层（3）以及保护层（4），由内向外依次为保护层（4）、高反射层（3）、过渡层（2）、基体层（1）、过渡层（2）、高反射层（3）、保护层（4）；

其中，所述基体层（1）采用聚酰亚胺薄膜；所述过渡层（2）采用金属铜；所述高反射层（3）采用低钴不锈钢；所述保护层（4）采用氧化硅;

所述过渡层、高反射层、保护层厚度比为1:20:（1～5）。

2.根据权利要求1所述的一种轻质耐辐照高反射率薄膜，其特征在于：所述基体层（1）厚度为25～30μm。

3.根据权利要求1所述的一种轻质耐辐照高反射率薄膜，其特征在于：所述保护层（4）厚度为10～50nm。

4.一种轻质耐辐照高反射率薄膜的制备方法，其特征在于：

a、打开真空室，安装膜材，测量收卷、放卷处的膜材直径，调节张力；然后关闭真空室，打开电源，检查镀膜鼓是否可以正常工作；打开泵组冷却水开关，打开前级泵组，5min后开始抽真空，真空度小于5×10^-3Pa时，准备镀膜；检查镀膜鼓温度、深冷温度，打开阴级冷却水和预处理加热器，调节张力，开始卷材；

b、旋转金属铜靶材，调节基体和靶材距离，金属铜靶材和基体之间的距离为4～10cm；通入氩气，清洁气体管道，持续时间3～5min，压强保持在0.1～0.8Pa，开始溅射；

c、金属铜溅射完成后，更换低钴不锈钢靶材，调节基体和靶材距离，低钴不锈钢靶材和基体距离为4～10cm；通入氩气，清洁气体管道，持续时间3～5min，压强保持在0.1～0.8Pa，开始溅射；

d、低钴不锈钢溅射完成后，更换硅靶材，调节基体和靶材距离，硅靶材和基体距离为8～16cm；通入氩气和氧气，压强保持在0.1～0.8Pa，开始溅射；

e、硅溅射完成后，关闭溅射电源和气体，重复上述步骤a～步骤d，完成剩余的反面溅射；

f、步骤e溅射完毕后，关闭溅射电源和气体。

5.根据权利要求4所述的一种轻质耐辐照高反射率薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤b与步骤c中氩气流量为30～500sccm。

6.根据权利要求4所述的一种轻质耐辐照高反射率薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤b金属铜溅射的功率为200～300W，溅射时间为2～5min。

7.根据权利要求4所述的一种轻质耐辐照高反射率薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤c中低钴不锈钢溅射的功率为250～350W，溅射时间为8～12min。

8.根据权利要求4所述的一种轻质耐辐照高反射率薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤d中氩气流量为10～60sccm，氧气流量为30～80sccm。

9.根据权利要求4所述的一种轻质耐辐照高反射率薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤d中硅溅射功率为150～250W，溅射时间为2～3min。