[发明专利]一种无偏量子熵源芯片结构在审
| 申请号： | 202010661921.8 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN111785712A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 丁禹阳;刘午;王从柯;程翌婷;霍庆春;解正胜 | 申请（专利权）人： | 合肥硅臻芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H04L9/08;H04B10/70 |
| 代理公司： | 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 | 代理人： | 于睿虬 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市经济技术开发区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 芯片 结构 | ||
1.一种无偏量子熵源芯片结构，其特征在于，包括芯片基底材料，所述芯片基底材料上设置有平衡探测器模块和半导体自发辐射源模块，两个所述半导体自发辐射源模块发出的自发辐射光束分别进入一个所述平衡探测器模块的输入端。
2.根据权利要求1所述的一种无偏量子熵源芯片结构，其特征在于，所述平衡探测器模块包括两个光电探测器，两个所述光电探测器分别接受两个所述半导体自发辐射源模块发出的自发辐射光束并形成两个电流信号，所述平衡探测器模块将两个所述电流信号进行减法并输出差分信号。
3.根据权利要求1所述的一种无偏量子熵源芯片结构，其特征在于，还包括驱动电路模块、跨阻放大器模块、模拟-数字转换模块、后处理模块和随机数输出接口，所述驱动电路模块与所述半导体自发辐射源模块电性连接，所述平衡探测器模块、跨阻放大器模块、模拟-数字转换模块、后处理模块和随机数输出接口依次电性连接。
4.一种无偏量子熵源芯片结构，其特征在于，包括芯片基底材料，所述芯片基底材料上设置有光电探测器模块和半导体自发辐射源模块，两个所述半导体自发辐射源模块发出的自发辐射光束分别进入两个不同的所述光电探测器模块的输入端。
5.根据权利要求4所述的一种无偏量子熵源芯片结构，其特征在于，还包括驱动电路模块、电流差分模块、跨阻放大器模块、模拟-数字转换模块、后处理模块和随机数输出接口，所述驱动电路模块与所述半导体自发辐射源模块电性连接，所述光电探测器模块、电流差分模块、跨阻放大器模块、模拟-数字转换模块、后处理模块和随机数输出接口依次电性连接。
6.根据权利要求5所述的一种无偏量子熵源芯片结构，其特征在于，所述电流差分模块对两个所述光电探测器模块输出的光电流信号进行差分操作，形成差分电流。
7.根据权利要求1或4所述的一种无偏量子熵源芯片结构，其特征在于，所述半导体自发辐射源模块为可产生放大自发辐射光束的光源模块。
8.根据权利要求7所述的一种无偏量子熵源芯片结构，其特征在于，所述半导体自发辐射源模块为半导体光学放大器或超辐射发光二极管。
9.根据权利要求1或4所述的一种无偏量子熵源芯片结构，其特征在于，所述芯片基底材料包括硅基二氧化硅、三五族半导体材料、氮氧化硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥硅臻芯片技术有限公司，未经合肥硅臻芯片技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010661921.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
