[发明专利]用于电阻式存储器中的电压感测的参考电压产生

说明书

本公开涉及用于电阻式存储器中的电压感测的参考电压产生。一种感测放大器电路包括参考路径、单元路径和比较器电路。参考路径包括第一电流负载装置和参考比较节点，其中在读取期间参考路径耦合到单元参考电路，其中所述第一电流负载装置包括用于控制所述参考路径的电流的控制输入。所述单元路径包括第二电流负载装置和单元比较节点，其中在读取期间所述单元路径耦合到存储器单元，其中所述第二电流负载装置包括用于控制所述单元路径的电流的控制输入。基于所述参考比较节点的电压与所述单元比较节点的电压的比较，所述比较器电路指示存储在所述存储器单元中的数据值。向所述第一电流负载装置和所述第二电流负载装置的所述控制输入提供不同信号。

技术领域

本公开大体上涉及存储器，且更具体地说，涉及产生电阻式存储器的参考电压。

背景技术

诸如磁阻性随机存取存储器(MRAM)的电阻式存储器常用作非易失性存储器(NVM)。MRAM单元的磁性元件为磁性隧道连接(MTJ)。例如，当MTJ的交互磁性层的磁矩一致时，存储对应于“0”的低电阻状态(LRS)，相反地，当磁矩不一致时，存储对应于“1”的高电阻(HRS)。通过感测在LRS与HRS两种状态之间存储器单元的电阻式元件中的电阻差来完成读取存储在此类存储器中的数据。但是，高电阻状态与低电阻状态之间的电阻差可能极小。这在高温下会进一步加剧，高温下的电阻差甚至更小。由于必须感测的电阻增量较小，因此合适的参考电压产生对于成功感测至关重要。在感测期间需要考虑各种误差源。因此，需要改进电阻式存储器中的感测，使之甚至不受温度变化的影响。

发明内容

根据一种实施方式，一种电路包括：

感测放大器电路，所述感测放大器电路包括：

参考路径，所述参考路径包括第一电流负载装置和参考比较节点，在所述感测放大器电路读取电压期间所述参考路径耦合到单元参考电路，其中所述第一电流负载装置包括用于控制所述参考路径

的电流的控制输入；

单元路径，所述单元路径包括第二电流负载装置和单元比较节点，在所述感测放大器电路读取电压期间所述单元路径耦合到存储器单元阵列的存储器单元，其中所述第二电流负载装置包括用于控

制所述单元路径的电流的控制输入；

比较器电路，所述比较器电路包括耦合到所述参考比较节点的第一输入、耦合到所述单元比较节点的第二输入，以及输出，所述输出基于所述参考比较节点的电压和所述单元比较节点的电压的比较提供数据输出信号，且所述比较器电路指示在存储器读取操作

期间被读取的存储在存储器单元中的数据值；

第一电路，所述第一电路包括用于向所述第一电流负载装置的所述控制输入提供第一信号的输出；

第二电路，所述第二电路包括用于向所述第二电流负载装置的所述控制输入提供第二信号的输出，所述第一信号和所述第二信号为不同信号。

可选地，所述第二信号为无关被读取的所述存储器单元的电阻值而通过所述单元路径产生相对恒定电流的电压，其中所述存储器单元为电阻式存储器单元。

可选地，所述第二电路包括电压至电流转换器，所述电压至电流转换器包括由接收相对温度恒定的电流的节点所产生的输入。

可选地，所述第二信号的电压取决于相对温度恒定的电流，其中所述第一信号的电压不取决于所述相对温度恒定的电流。

可选地，所述第二电路包括电流镜以镜射通过所述单元路径的所述相对温度恒定的电流。

可选地，所述第一电路包括电压至电流转换器，其中所述电压至电流转换器包括第一电阻材料的第一电阻器，其中所述单元参考电路包括所述第一电阻材料的第二电阻器。

可选地，所述第二电阻器两端的电压对所述第二电阻器的温度系数相对不敏感。