[发明专利]一种提炼后的单晶硅加工工艺

权利要求书

1.一种提炼后的单晶硅加工工艺，其特征在于：包括如下步骤：

一、单晶硅表面酸洗和清洗阶段：

S1、首先将若干提炼成圆形棒的单晶硅依次放入清洗箱内的每对夹台和放置台上，并旋紧螺杆使放置台推动单晶硅压紧在夹台上，再关上防护板；

S2、然后启动减速电机使其工作，而驱动主齿轮旋转，进而带动与之啮合的若干传动轮同速旋转，从而带动若干单晶硅同速自转；

S3、再启动清洗箱顶部左侧的抽水机和电磁阀使它们工作，此抽水机抽进备好的稀硝酸并经喷淋管上安装的若干雾化喷头喷出，进而喷洒到每个单晶硅的表面上进行酸洗；

S4、待酸洗一段时间后，然后断电清洗箱顶部左侧的抽水机和电磁阀使它们停止工作，再启动清洗箱顶部右侧的抽水机和电磁阀使它们工作，此抽水机抽进备好的清水并喷淋管上安装的若干雾化喷头喷出，进而喷洒到每个单晶硅的表面上进行冲洗；

S5、待清洗一端时间后，然后断开清洗箱顶部右侧的抽水机和电磁阀使它们停止工作，再依次旋松螺杆，然后依次取出单晶硅；

清洗箱呈内部中空结构的方体结构且前端面上半部开口，清洗箱的内部两侧安装有夹紧旋转机构，清洗箱的内部悬置有喷淋管，清洗箱的前面中部铰接有呈透明状的防护板，夹紧旋转机构包括安装于清洗箱外侧的减速电机，减速电机的输出轴一端同轴连接有主齿轮，主齿轮的外部转动连接有若干呈U型框结构的夹台，若干夹台的正对面设置有若干可往复移动的放置台；

喷淋管的下半段且位于清洗箱的内部均水平横向插接有若干横向管，横向管的前侧弧面水平纵向插接有若干纵向管，纵向管的底面等间距插接有若干雾化喷头，清洗箱的顶部对称安装有抽水机；

二、单晶硅两端切断阶段：

S6、再将清洗后的单晶硅放入圆弧凹面上，然后转动压盖压住单晶硅中部并用螺栓固定；

S7、然后移动其中一个锯片切割机并固定，再测量单晶硅切割的长度，并在单晶硅另一端划线留记号，然后移动另一个锯片切割机使其锯片对准此划线记号并固定；

S8、再启动两个锯片切割机使其工作而驱动锯片旋转，握住锯片切割机外壳前端的握柄并向下按压，进而切平单晶硅的两端；

切断台的顶面后侧拐角处均安装有可调节切断间距的切断装置，切断台的顶面后侧中部铰接有呈圆弧板状的压盖，切断台的顶面中线处开设有圆弧凹面，切断装置包括安装于切断台两端的可调距的锯片切割机；

三、单晶硅线割四方体阶段：

S9、再拨动托杆置于卸料口内，然后将两端切平的单晶硅置中放置于两个托杆上，将其一端抵在固定板前方的压块，再旋转转轴带动其前端的压块压紧在单晶硅的另一端；

S10、然后回拨托杆至凹台内隐藏，再先后启动线割电机和正反转电机的正转电源使它们工作，丝杆被驱动旋转，带动线割机构整体向开断台另一端做直线运动，同时钼丝随着转轮的旋转而被带动循环运动，进而摩擦割开单晶硅的上下面；

S11、待线割机构移至固定套台一端时，断电停止正反转电机工作，再启动伺服电机使其工作，而驱动其输出轴旋转90度，进而带动单晶硅旋转90度，使得另两侧圆弧面转至竖直方向上，然后启动正反转电机使其反转工作，驱动丝杆反转，而带动线割机构向固定板一端移动，进而将单晶硅线割成四方体，再停止正反转电机、伺服电机、线割电机工作，旋松转轴并取下四方体的单晶硅进行存放；

开断台的顶面两端安装有夹紧单晶硅的压紧机构，开断台的上方安装有用于切割单晶硅的线割机构，压紧机构包括固定于开断台一端顶面处的固定套台，固定套台的内部螺纹连接有转轴，转轴位于开断台顶面上的一端连接有呈方形的压块，开断台的另一端焊接有固定板，固定板的外面安装有伺服电机，开断台的前后面安装有丝杆，丝杆的一端安装有正反转电机，线割机构包括一对转轮，两个转轮之间套设有呈绷紧闭合状态的钼丝，其中一个转轮的一侧同轴连接有线割电机。

2.根据权利要求1所述的提炼后的单晶硅加工工艺，其特征在于：所述清洗箱的内侧中部焊接有向下倾斜状的导流板，导流板的中部开设有集水口，清洗箱的顶面通过螺栓固定有对称设置的卡块，卡块的前端底面设有圆弧凸起结构，卡块与防护板顶端卡接配合，清洗箱的一侧面底部插接有与其内部相连通的排水管。