[发明专利]一种ALD制作非晶硅的方法有效

专利信息
申请号: 202010663155.9 申请日: 2020-07-10
公开(公告)号: CN111816735B 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 欧文凯 申请(专利权)人: 普乐新能源科技(泰兴)有限公司
主分类号: H01L31/20 分类号: H01L31/20;H01L21/02
代理公司: 苏州创策知识产权代理有限公司 32322 代理人: 颜海良
地址: 225400 江苏省泰州市泰*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 ald 制作 非晶硅 方法
【权利要求书】:

1.一种ALD制作非晶硅的方法,其特征是,所述方法用于制作太阳能电池非晶硅层,包括以下步骤:

(1)打开ALD设备炉门,将制作非晶硅的样品放入载具,抽真空;

(2)设备测试泄漏率≤5mTorr,同时升温至200~300℃并恒温5-20min;

(3)通入反应源与氮气,如此循环若干次生长非晶硅;

(4)通N2吹扫特气管道,同时通N2使炉管回压至常压;

(5)开炉门非晶硅制作完成;

反应源为三甲基硅烷、三甲基氯硅烷、二氯二乙基硅烷中的至少一种;

在制备掺杂非晶硅时,还需要通入PH3和B2H6

2.根据权利要求1所述的一种ALD制作非晶硅的方法,其特征是,通入反应源气体量根据机台决定,范围为0~3000sccm,通入时间5~60s。

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