[发明专利]一种ALD制作非晶硅的方法有效
申请号: | 202010663155.9 | 申请日: | 2020-07-10 |
公开(公告)号: | CN111816735B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 欧文凯 | 申请(专利权)人: | 普乐新能源科技(泰兴)有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L21/02 |
代理公司: | 苏州创策知识产权代理有限公司 32322 | 代理人: | 颜海良 |
地址: | 225400 江苏省泰州市泰*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ald 制作 非晶硅 方法 | ||
1.一种ALD制作非晶硅的方法,其特征是,所述方法用于制作太阳能电池非晶硅层,包括以下步骤:
(1)打开ALD设备炉门,将制作非晶硅的样品放入载具,抽真空;
(2)设备测试泄漏率≤5mTorr,同时升温至200~300℃并恒温5-20min;
(3)通入反应源与氮气,如此循环若干次生长非晶硅;
(4)通N2吹扫特气管道,同时通N2使炉管回压至常压;
(5)开炉门非晶硅制作完成;
反应源为三甲基硅烷、三甲基氯硅烷、二氯二乙基硅烷中的至少一种;
在制备掺杂非晶硅时,还需要通入PH3和B2H6。
2.根据权利要求1所述的一种ALD制作非晶硅的方法,其特征是,通入反应源气体量根据机台决定,范围为0~3000sccm,通入时间5~60s。
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