[发明专利]三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物、电存储器件及其制备

权利要求书

1.一种三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物，其特征在于：具有以下结构：

其中，R为烷氧基；同一重复单元中R₁相同或不同，R₁为烷基；不同重复单元中芴类结构相同；

m为20至300的整数；n为20至300的整数。

2.根据权利要求1所述三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物，其特征在于：R为甲氧基或乙氧基；R₁为C₆烷基、C₇烷基或C₈烷基；m为30至200的整数；n为30至200的整数；m和n数值相同。

3.根据权利要求1或2所述三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)在溶剂中，将卤代三苯胺类单体、卤代苯并咪唑类单体与芴类单体进行加热反应，后续处理，获得低带隙三元共聚物；

所述卤代三苯胺类单体的结构式为：

其中，X₁选自氯、溴或碘，R₂为烷氧基；

所述卤代苯并咪唑类单体的结构式为：

其中，卤代基X₂选自氯、溴、碘；R₃和R₄各自独立的为氢；

所述芴类单体为9,9-二烷基芴-2,7-二硼酸酯类单体，表示的是芴单体的9位上有两个取代烷基，2和7位上有硼酸基类基团或硼酸酯基类基团。

4.根据权利要求3所述三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物的制备方法，其特征在于：所述反应在催化剂催化下进行；所述催化剂为钯催化剂，选自钯盐，钯碳，无机氧化物负载钯或钯的配合物；

所述溶剂为有机溶剂，选自石油醚、甲苯、二甲苯、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺中一种以上；

所述反应中加入碱性物质溶液；

所述反应的温度为80～130；所述反应的时间为20～80h；

所述卤代三苯胺类单体和芴类单体的摩尔比为1:(1～4)，所述卤代苯并咪唑类单体和芴类单体的摩尔比为1:(1～4)；

所述反应在保护性气体环境下进行。

5.一种电存储材料，其特征在于：包括低带隙三元共聚物，所述三元共聚物为权利要求1或2所述三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物。

6.根据权利要求5所述电存储材料的应用，其特征在于：所述电存储材料用于制备电存储器件。

7.一种电存储器件，其特征在于：包括有机层，所述有机层为权利要求5所定义的电存储材料。

8.根据权利要求7所述电存储器件，其特征在于：所述有机层的厚度为100～300nm。

9.根据权利要求7所述电存储器件，其特征在于：所述电存储器件还包括衬底，阴极和阳极；所述阴极设置在衬底上，有机层设置在阴极上，阳极设置在有机层上。

10.根据权利要求7～9任一项所述电存储器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤a、对衬底层进行清洗；衬底层上附有阴极；

步骤b、将低带隙三元共聚物溶解在溶剂中，得到低带隙三元共聚物溶液；所述低带隙三元共聚物为权利要求1或2所述三苯胺-芴-苯并咪唑低带隙三元共聚物；

步骤c、将低带隙三元共聚物溶液附着在阴极上，形成有机层；

步骤d、在有机层上附着阳极，获得有机电存储器件。