[发明专利]一种实现半导体激光器芯片锁波中无跳模的方法有效

专利信息
申请号: 202010663476.9 申请日: 2020-07-10
公开(公告)号: CN111740310B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 任占强;李青民;王宝超;孙翔;李喜荣;仇伯仓 申请(专利权)人: 西安立芯光电科技有限公司
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 郑丽红
地址: 710077 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 实现 半导体激光器 芯片 锁波中无跳模 方法
【权利要求书】:

1.一种实现半导体激光器芯片锁波中无跳模的方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、在辅助热沉的上表面设置多个沟槽,且多个沟槽等距设置;

所述沟槽为直线沟槽或曲线沟槽,多个沟槽沿同一方向排布,或者多个沟槽在不同方向交错排布;所述沟槽的占空比范围为20%~60%,槽宽为辅助热沉宽度的2%~10%之间;

步骤二、将贴有单管芯片的陶瓷热沉贴装到辅助热沉的上表面;

步骤三、将辅助热沉安装到光纤的组件上。

2.根据权利要求1所述的实现半导体激光器芯片锁波中无跳模的方法,其特征在于:步骤一中,所述沟槽的横截面形状为矩形、V形、梯形或半圆形。

3.一种无跳模半导体激光器,包括依次叠加设置的单管芯片、陶瓷热沉和辅助热沉,其特征在于:所述辅助热沉与陶瓷热沉贴合的表面设置有多个沟槽,且多个沟槽等距设置;所述沟槽为直线沟槽或曲线沟槽,多个沟槽沿同一方向排布,或者多个沟槽在不同方向交错排布;所述沟槽的占空比范围为20%~60%,槽宽为辅助热沉宽度的2%~10%之间。

4.根据权利要求3所述的无跳模半导体激光器,其特征在于:所述沟槽的横截面形状为矩形、V形、梯形或半圆形。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安立芯光电科技有限公司,未经西安立芯光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010663476.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top