[发明专利]像素阵列基板有效
申请号: | 202010663985.1 | 申请日: | 2020-07-10 |
公开(公告)号: | CN111883566B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 郑又瑄;许文曲;欧懿夫;马健凯;陈冠宇 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H10K59/121 | 分类号: | H10K59/121;H10K59/131 |
代理公司: | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人: | 梁挥;孟超 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 | ||
1.一种像素阵列基板,其特征在于,包括:
一基底,具有一第一区以及该第一区外的一第二区,该第一区为异形区,该第二区为正常显示区;
多条信号线,设置于该基底上,且在同一方向上排列,其中该些信号线包括至少一第一信号线和多条第二信号线,该至少一第一信号线设置于该基底的该第一区上,且该些第二信号线设置于该基底的该第二区上;
多个像素结构,电性连接至该些信号线;以及
至少一第一补偿电容,电性连接至该至少一第一信号线,其中该至少一第一补偿电容的每一个包括:
一第一半导体图案;
一第一导电图案;以及
一绝缘层,设置于该第一半导体图案与该第一导电图案之间;
该至少一第一补偿电容的至少一该第一导电图案电性连接至该至少一第一信号线,且至少一该第一补偿电容的至少一该第一半导体图案电性连接至一驱动电路;
该至少一第一信号线为多条第一信号线,该至少一第一补偿电容为多个第一补偿电容,该些第一补偿电容的多个第一导电图案分别电性连接至该些第一信号线,且该些第一补偿电容的多个第一半导体图案电性连接至该驱动电路;其中,一该第一补偿电容的该第一半导体图案与该第一导电图案的具有一第一电位差,另一该第一补偿电容的该第一半导体图案与该第一导电图案具有一第二电位差,且该第一电位差的绝对值大于该第二电位差的绝对值;
一该第一补偿电容的该第一半导体图案与另一该第一补偿电容的该第一半导体图案直接地连接。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,该基底更具有该第一区及该第二区外的一第三区,该像素阵列基板适于沿一参考轴弯曲,该参考轴位于该第三区,该些信号线更包括一第三信号线,该第三信号线设置于该基底的该第三区上,且该像素阵列基板更包括:
一第二补偿电容,电性连接至该第三信号线,其中该第二补偿电容包括:
一第二半导体图案;
一第二导电图案;以及
一绝缘层,设置于该第二半导体图案与该第二导电图案之间。
3.如权利要求2所述的像素阵列基板,其特征在于,一该第一补偿电容的该第一半导体图案与该第一导电图案具有一第一电位差,该第二补偿电容的该第二半导体图案与该第二导电图案具有一第三电位差,且该第一电位差的绝对值大于该第三电位差的绝对值。
4.如权利要求2所述的像素阵列基板,其特征在于,该第一补偿电容的该第一半导体图案于该基底上的一垂直投影的面积大于该第二补偿电容的该第二半导体图案于该基底上的一垂直投影的面积。
5.如权利要求2所述的像素阵列基板,其特征在于,该第二补偿电容的该第二半导体与该第二导电图案的距离大于该第一补偿电容的该第一半导体图案与该第一导电图案的距离。
6.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,该第一补偿电容的该第一半导体图案位于该第一导电图案与该基底之间。
7.如权利要求1所述的像素阵列基板,其特征在于,该第一补偿电容的该第一导电图案位于该第一半导体图案与该基底之间。
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