[发明专利]一种制备复合压电薄膜的方法在审
| 申请号： | 202010664898.8 | 申请日： | 2020-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN113921694A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 刘桂银;王金翠;刘阿龙 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/33 | 分类号： | H01L41/33;H01L41/312 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 复合 压电 薄膜 方法 | ||
1.一种制备复合压电薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括：
采用离子注入和键合工艺制备键合体；
向所述键合体施加指向所述键合体的压力并进行热处理，获得从所述键合体上剥离而得的复合压电薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压力均匀地施加于所述键合面上。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，施加于所述键合面上压力的压强为2KPa～20KPa，优选为5KPa～10KPa。
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，在获得复合压电薄膜后，还包括：
停止热处理，冷却制备体系；
待所述制备体系冷却后，取出余料以及复合压电薄膜。
5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，向所述键合体施加指向所述键合体的压力并进行热处理包括：
将所述键合体放置于液相体系中；
通过对所述液相体系加热实现对所述键合体进行热处理，直至所述余料层沿所述注入层剥离。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述液相体系在沸点下的饱和蒸气压小于133.32Pa。
7.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，向所述键合体施加指向所述键合体的压力并进行热处理包括：
将键合体放置于支撑板上，在所述键合体上方压覆压力板；
穿透所述支撑板以及所述压力板对所述键合体加热，直至所述余料层沿所述注入层剥离。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在剥离过程中，所述压力板与所述支撑板可以固接，例如，通过螺栓固接。
9.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，向所述键合体施加指向所述键合体的压力并进行热处理包括：
在所述余料层上制备第一弹性缓冲层；
在所述衬底晶片上制备第二弹性缓冲层，其中，第二弹性缓冲层与所述第一弹性缓冲层固接；
穿过所述第一弹性缓冲层和所述第二弹性缓冲层对所述键合体进行热处理，直至所述余料层沿所述注入层剥离。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一弹性缓冲层的厚度大于所述第二弹性缓冲层的厚度。
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