[发明专利]一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路

权利要求书

1.一种用于DC/DC转换电路的高电压使能控制电路，其特征在于，包括：NLDMOS组，PLDMOS组，NMOS组，误差放大器EA、反相器、比较器COMP和偏置电流产生器；

所述NLDMOS组包括第一NLDMOS M1，第二NLDMOS M5，第三NLDMOS M10；

所述PLDMOS组包括第一PLDMOS M6，第二PLDMOS M7，第三PLDMOS M8，第四PLDMOS M9；

所述NMOS组包括第一NMOS M0，第二NMOS M2，第三NMOS M3，第四NMOS M4，第五NMOSM11，第六NMOS M12，第七NMOS M13；

所述第一NMOS M0栅极以及所述第一NMOS M0源极分别与所述偏置电流产生器相连，所述第一NMOS M0源极接地，所述第一NMOS M0漏极与所述第一NLDMOS M1源极相连，所述第一NLDMOS M1漏极通过第一电阻R1分别与所述第二NLDMOS M5栅极、所述第二NMOS M2漏极、所述二NMOS M2栅极相连；

所述第一NLDMOS M1栅极与所述比较器COMP的输出端相连，所述反相器输入端与所述比较器COMP输出端相连；

所述第二NLDMOS M5源极接地，所述第二NLDMOS M5漏极通过第二电阻R2与所述第一PLDMOS M6漏极、所述第一PLDMOS M6栅极均相连；所述第一PLDMOS M6栅极与所述第二PLDMOS M7栅极相连，所述第一PLDMOS M6源极与第二PLDMOS M7源极均与外部电源输入端相连，所述第二PLDMOS M7漏极通过第三电阻R3分别与所述误差放大器EA输出端、所述第三NLDMOS M 10栅极相连，所述第三NLDMOS M10源极接地；

所述第三PLDMOS M8源极以及所述第四PLDMOS M9源极均与外部电源输入端相连，所述第三PLDMOS M8栅极以及第三PLDMOS M8漏极均与所述第四PLDMOS M9栅极相连，所述第三PLDMOS M8漏极与所述第三NLDMOS M10漏极相连，所述误差放大器EA反向输入端分别与第五电阻R5的一端、第六电阻R6的一端相连，所述第五电阻R5的另一端与所述第四PLDMOS M9漏极相连，所述第六电阻R6的另一端接地；

所述误差放大器EA正向输入端外接参考电压，第四PLDMOS M9漏极与所述误差放大器EA电源端相连；

所述第三NMOS M3栅极与所述第二NMOS M2源极相连，所述第三NMOS M3漏极与所述第二NMOS M2源极相连，所述第三NMOS M3源极与所述第四NMOS M4栅极、所述第四NMOS M4漏极均相连，所述第四NMOS M4源极接地；

所述第五NMOS M11栅极以及所述第五NMOS M11漏极均与所述误差放大器EA输出端相连，所述第五NMOS M11源极分别与所述第六NMOS M12漏极、所述第六NMOS M12栅极相连，所述第六NMOS M12源极分别与所述第七NMOS M13漏极、所述第七NMOS M13栅极相连，所述第七NMOS M13源极接地。