[发明专利]一种基于共价有机框架材料的紫外与可见光探测器及其制备方法在审
申请号: | 202010665708.4 | 申请日: | 2020-07-11 |
公开(公告)号: | CN111952462A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 魏大程;艾昭琳;郭倩颖;张聪 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 共价 有机 框架 材料 紫外 可见光 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于共价有机框架材料的紫外与可见光探测器的制备方法,具体步骤为:
(1)制备半导体沟道暴露在外的晶体管器件;包括绝缘基底、图案化电极、半导体沟道;
(2)对步骤(1)所得的晶体管器件,在其半导体沟道上沉积光敏性的共价有机框架材料,得到半导体沟道表面均匀分布共价有机框架材料的晶体管器件;
(3)将步骤(2)所得的器件置于液体中工作,在光照条件下测量电流变化;通过标定电流变化和光照强度的对应关系,得到相应的光照强度。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述图案化电极的制备方法为热蒸镀、磁控溅射或丝网印刷,电极材料选自金属、导电硅化物、导电高分子、导电碳材料;所述绝缘基底选自二氧化硅、玻璃、云母、带有介电层的硅片以及绝缘聚合物,所述绝缘聚合物为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺或聚二甲基硅氧烷;所述半导体沟道材料选自元素半导体、化合物半导体或掺杂半导体。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述共价有机框架材料选自硼酸类共价有机框架材料、亚胺类共价有机框架材料、三嗪类共价有机框架材料;这些共价有机框架材料经过结构设计,结构单元中含有吸收波长在254纳米–760纳米的光敏官能团,所述光敏官能团为共轭稠环或杂环基团。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述光敏官能团选自卟啉、酞菁、芘、三嗪、蒽。
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述共价有机框架材料的沉积方法为溶剂热法、离子热法、微波辅助法或超临界溶剂热法。
6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述共价有机框架材料的沉积厚度为10纳米–10微米。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述液体选自正戊烷、石油醚、己烷、环己烷、异辛烷、三氟乙酸、庚烷、四氯化碳、苯、甲苯、二甲苯、三甲苯、氯苯、二氯苯、乙醚、异丁醇、正丁醇、丙醇、乙醇、甲醇、二氯甲烷、氯仿、乙酸乙酯、四氢呋喃、二氧六环、丙酮、吡啶、乙腈、二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、乙酸、甲酸、水中的一种或多种。
8. 根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述光照条件的波长范围为254纳米-760纳米,光照强度为 0.1微瓦每平方厘米-10瓦每平方厘米。
9.由权利要求1-8之一所述的制备方法得到的基于共价有机框架材料的紫外与可见光探测器。
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