[发明专利]一种后置TVS保护二极管的整流桥电路模块

权利要求书

1.一种后置TVS保护二极管的整流桥电路模块，其特征在于，包括多个焊盘、至少一个TVS管芯片以及至少两个高压整流二极管芯片组，所述高压整流二极管芯片组和TVS管芯片集成于具有多个引脚的塑封体内，TVS管芯片设置在高压整流二极管芯片组的输出端，高压整流二极管芯片组通过相关焊盘与塑封体的相关引脚相连接, TVS管芯片通过相关焊盘与塑封体的相关引脚相连接；所述高压整流二极管芯片组包括第一芯片和第二芯片，第一芯片采用N型衬底高压整流二极管芯片，第二芯片采用P型衬底高压整流二极管芯片，同一高压整流二极管芯片组内的第一芯片和第二芯片采用同一焊盘。

2.根据权利要求1所述的后置TVS保护二极管的整流桥电路模块，其特征在于，所述第一芯片的顶面与塑封体的负极直流输出端相连接，所述第二芯片的顶面与塑封体的正极直流输出端相连接。

3.根据权利要求1所述的后置TVS保护二极管的整流桥电路模块，其特征在于，塑封体内设有两个所述高压整流二极管芯片组。

4.根据权利要求1或3所述的后置TVS保护二极管的整流桥电路模块，其特征在于，每个高压整流二极管芯片组通过相关焊盘与塑封体的交流输入端子相连接，TVS管芯片通过相关焊盘与塑封体的直流输出端子相连接。

5.根据权利要求1或3所述的后置TVS保护二极管的整流桥电路模块，其特征在于，所述TVS管芯片数量为一颗或两颗，且

当TVS管芯片数量为一颗时，所述TVS管芯片采用P型衬底TVS管芯片；

当TVS管芯片数量为两颗时，所述TVS管芯片采用一颗N型衬底TVS管芯片和一颗P型衬底TVS管芯片串联连接。

6.根据权利要求5所述的后置TVS保护二极管的整流桥电路模块，其特征在于，所述塑封体内设有分别用于承载第一芯片、第二芯片、TVS管芯片的基岛焊盘之外，还设有键合焊盘；且

当TVS管芯片数量为一颗时，有效的键合焊盘数量为两个，二者相互独立作为整流二极管芯片和TVS管芯片的检测端子，并共同作为塑封体的正极直流输出端子，且其中一个键合焊盘通过导线与TVS管芯片的顶面相连接，另一个键合焊盘则通过导线与第二芯片的顶面相连接；

当TVS管芯片数量为两颗时，有效的键合焊盘数量为一个，P型衬底TVS管芯片通过基岛焊盘与塑封体的负极直流输出端子相连接，N型衬底TVS管芯片设于另一基岛焊盘上，且该基岛焊盘与该键合焊盘相互独立作为整流二极管芯片和TVS管芯片的检测端子，并共同作为塑封体的正极直流输出端子，P型衬底TVS管芯片顶面通过导线与N型衬底TVS管芯片顶面相连接，该键合焊盘通过导线导线与第二芯片的顶面相连接。

7.根据权利要求1所述的后置TVS保护二极管的整流桥电路模块，其特征在于，所述塑封体采用SOP5封装。

8.根据权利要求1所述的后置TVS保护二极管的整流桥电路模块，其特征在于，所述TVS管芯片采用单向TVS管芯片。