[发明专利]半导体芯片的测试方法、测试系统及测试设备

说明书

本发明涉及一种半导体芯片的测试方法、测试系统及测试设备。该方法包括：获取目标芯片；分别对目标芯片的边缘区域预设数量的存储单元进行读写功能测试后，获取异常芯片；记录各个读写功能异常的存储单元在异常芯片上的位置信息；根据位置信息判断异常芯片的读写功能异常是否为块状异常；其中，异常芯片是指包括读写功能异常的存储单元的目标芯片。本申请确认异常芯片的读写功能异常是否为块状异常的测试周期短，成本低。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种半导体芯片的测试方法、测试系统及测试设备。

背景技术

电子组件(产品)系经过多道的加工程序所制造完成，因此为了确保产品质量，电子组件(产品)制造完成后，均会进行检测作业，以检测电子组件于制作过程中，是否损坏，进而检测出不良品。即所谓的崩应测试(BURN-IN TEST或称为烧机测试)，崩应测试大都于一加热炉体内将待测物置于较高温的环境下执行测试作业，而以较严苛的测试条件预先检测出濒临损坏或质量欠佳的产品，并期以产品提早通过前期测试而进入稳定期，于消费者使用时便可获得稳定的产品特性。

崩应测试完成后，会取若干失效芯片(异常芯片)送电性分析(EFA)，用以确认芯片失效的问题根源，失效模式包含column,row,block,single bit,double bit等失效模式种类，透过电性分析测试产生block fail块状的失效模式时，测试周期长，并且当分析样品较少时，无法即时了解所述崩应测试的失效是否为块状失效。

发明内容

基于此，有必要针对上述通过电性分析确认失效芯片是否为块状失效的测试周期长的问题，提供一种半导体芯片的测试方法、一种半导体芯片的测试系统及一种半导体芯片的测试设备。

一种半导体芯片的测试方法，包括：

获取目标芯片；

分别对所述目标芯片的边缘区域预设数量的存储单元进行读写功能测试后，获取异常芯片；

记录各个读写功能异常的存储单元在所述异常芯片上的位置信息；

根据所述位置信息判断所述异常芯片的读写功能异常是否为块状异常；

其中，所述异常芯片是指包括读写功能异常的存储单元的目标芯片。

在其中一个实施例中，所述目标芯片包括堆叠型存储芯片。

在其中一个实施例中，所述预设数量的存储单元包括所述目标芯片边缘区域的A行、B列的存储单元，其中，A与B均为整数。

在其中一个实施例中，所述根据所述位置信息判断所述异常芯片的读写功能异常是否为块状异常的步骤包括：

若所述读写功能异常的存储单元为所述异常芯片上的多行或多列存储单元，则判定所述异常芯片的读写功能异常为块状异常，否则，判定所述异常芯片的读写功能异常为非块状异常；

其中，所述多行或多列存储单元是指不小于2行或不小于2列的存储单元。

在其中一个实施例中，所述测试方法是在崩应测试时进行的。

在其中一个实施例中，若所述读写功能异常的存储单元为从所述异常芯片边缘向所述异常芯片中心的多行或多列存储单元，则判定所述异常芯片具有缺角或裂痕异常；

其中，所述多行或多列存储单元是指不小于2行或不小于2列的存储单元。