[发明专利]防尘薄膜组件在审
申请号: | 202010667663.4 | 申请日: | 2017-01-04 |
公开(公告)号: | CN111679551A | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 滨田裕一 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/64 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防尘 薄膜 组件 | ||
1.一种防尘薄膜组件框架在EUV曝光用防尘薄膜组件制造中的应用,其中,防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面以及下端面所成的各角部从截面来看为大略曲线状。
2.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述各角部被R倒棱。
3.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述各角部被C倒棱,防尘薄膜组件框架的内侧面和该被C倒棱而形成的C倒棱面所成的角部,被R倒棱。
4.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述各角部被C倒棱,防尘薄膜组件框架的内侧面和该被C倒棱形成的C倒棱面所成的角部,被第二次C倒棱。
5.根据权利要求4所述的应用,其特征在于,防尘薄膜组件框架的内侧面和所述被第二次C倒棱形成的二次C倒棱面所成的角部的角度以及所述C倒棱面和所述二次C倒棱面所成的角部的角度为比135°大。
6.根据权利要求4或5所述的应用,其特征在于,防尘薄膜组件框架的内侧面和所述被第二次C倒棱形成的二次C倒棱面所成的角部以及所述C倒棱面和所述二次C倒棱面所成的角部被R倒棱或被C倒棱。
7.根据权利要求1至6的任一项所述的应用,其特征在于,防尘薄膜组件框架被附与阳极氧化皮膜或丙烯酸系电着涂装树脂皮膜。
8.一种防尘薄膜组件框架在EUV曝光用防尘薄膜组件中的应用,其中,防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面以及下端面所成的各角部从截面来看为大略曲线状。
9.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述各角部被R倒棱。
10.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述各角部被C倒棱,防尘薄膜组件框架的内侧面和该被C倒棱而形成的C倒棱面所成的角部,被R倒棱。
11.根据权利要求8所述的应用,其特征在于,所述各角部被C倒棱,防尘薄膜组件框架的内侧面和该被C倒棱形成的C倒棱面所成的角部,被第二次C倒棱。
12.根据权利要求11所述的应用,其特征在于,防尘薄膜组件框架的内侧面和所述被第二次C倒棱形成的二次C倒棱面所成的角部的角度以及所述C倒棱面和所述二次C倒棱面所成的角部的角度为比135°大。
13.根据权利要求11或12所述的应用,其特征在于,防尘薄膜组件框架的内侧面和所述被第二次C倒棱形成的二次C倒棱面所成的角部以及所述C倒棱面和所述二次C倒棱面所成的角部被R倒棱或被C倒棱。
14.根据权利要求8至13的任一项所述的应用,其特征在于,防尘薄膜组件框架被附与阳极氧化皮膜或丙烯酸系电着涂装树脂皮膜。
15.一种EUV曝光用防尘薄膜组件,其中,防尘薄膜组件框架的内侧面和上端面以及下端面所成的各角部从截面来看为大略曲线状。
16.根据权利要求15所述的防尘薄膜组件,其特征在于,所述各角部被R倒棱。
17.根据权利要求15所述的防尘薄膜组件,其特征在于,所述各角部被C倒棱,防尘薄膜组件框架的内侧面和该被C倒棱而形成的C倒棱面所成的角部,被R倒棱。
18.根据权利要求15所述的防尘薄膜组件,其特征在于,所述各角部被C倒棱,防尘薄膜组件框架的内侧面和该被C倒棱形成的C倒棱面所成的角部,被第二次C倒棱。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备