[发明专利]触发电压可调双向ESD保护器件、结构及制备方法

权利要求书

1.一种触发电压可调双向ESD保护结构，其特征在于，所述触发电压可调双向ESD保护结构至少包括：

位于衬底上的深N阱；

相邻设置于所述深N阱内的N阱及P阱；

以及，第一P+注入区及第二P+注入区，所述第一P+注入区设置于所述N阱内，所述第二P+注入区设置于所述N阱及所述P阱内，所述第一P+注入区与所述第二P+注入区之间设置有隔离区；

所述第一P+注入区、所述N阱及所述第二P+注入区构成第一PNP三极管，所述第一P+注入区、所述N阱及所述P阱构成第二PNP三极管，所述N阱与所述第二P+注入区的接触面积可调；

所述第一P+注入区引出阳极电极，所述第二P+注入区引出阴极电极。

2.根据权利要求1所述的触发电压可调双向ESD保护结构，其特征在于：所述第一P+注入区远离所述第二P+注入区的一侧及所述第二P+注入区远离所述第一P+注入区的一侧均设置有隔离区。

3.根据权利要求1或2所述的触发电压可调双向ESD保护结构，其特征在于：所述隔离区为浅沟槽隔离结构。

4.一种触发电压可调双向ESD保护结构的制备方法，其特征在于，所述触发电压可调双向ESD保护结构的制备方法至少包括：

提供一衬底，于所述衬底中形成深N阱；

于所述深N阱中形成相邻设置的N阱及P阱；

于所述N阱中形成隔离区及第一P+注入区，于所述N阱及所述P阱中形成第二P+注入区，所述隔离区介于所述第一P+注入区所述第二P+注入区之间；

在所述第一P+注入区引出阳极电极、在所述第二P+注入区引出阴极电极；

其中，所述第一P+注入区、所述N阱及所述第二P+注入区构成第一PNP三极管，所述第一P+注入区、所述N阱及所述P阱构成第二PNP三极管，所述N阱与所述第一P+注入区的接触面积可调。

5.根据权利要求4所述的触发电压可调双向ESD保护结构的制备方法，其特征在于：所述隔离区采用浅沟槽隔离工艺形成。

6.一种触发电压可调双向ESD保护器件，基于如权利要求1-3任意一项所述的触发电压可调双向ESD保护结构实现，其特征在于，所述触发电压可调双向ESD保护器件至少包括：

并联连接的第一PNP三极管及第二PNP三极管，所述第一PNP三极管与所述第二PNP三极管的发射区及基区共用；

所述第一PNP三极管与所述第二PNP三极管的集电极作为阴极电极引出，基极浮空，发射极作为阳极电极引出；所述第一PNP三极管的击穿电压小于所述第二PNP三极管的击穿电压。