[发明专利]金纳米阵列衬底及其与近红外量子剪裁发光材料的复合结构及制备方法

权利要求书

1.一种金纳米阵列与近红外量子剪裁发光材料的复合结构的制备方法，其特征在于：所述复合结构为金纳米阵列-NaYF₄:Er纳米复合结构，利用高度局域化的表面晶格共振增强发光波长的三光子近红外量子剪裁发光，其制备方法包括：将所述金纳米阵列垂直浸入NaYF₄:Er纳米颗粒的环己烷溶液并加热，随着环己烷的缓慢挥发，NaYF₄:Er纳米颗粒在液体毛细力的作用下，在金纳米阵列表面自组装形成稳定的金纳米阵列-NaYF₄:Er纳米复合结构；其中，金纳米阵列的直径为90 nm，高度为80nm，x方向的周期P_x与y方向的周期P_y均为650nm；用于构筑金纳米阵列与近红外量子剪裁发光材料的复合结构，使金纳米阵列的表面晶格共振峰与三光子近红外量子剪裁发光波长匹配；所述发光波长为518nm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述复合结构设计方法为：通过时域有限差分法模拟在光场诱导下贵金属纳米阵列的光谱和光场，建立阵列结构参数与表面晶格共振的峰强、峰位、峰宽之间的联系；通过调节阵列的结构参数，调控表面晶格共振峰与三光子近红外量子剪裁发光波长匹配。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：NaYF4:Er纳米颗粒的量为0.5~1mmol，环己烷的体积为5~10 ml，加热温度为75℃~80℃。