[发明专利]陶瓷电子组件以及制造陶瓷电子组件的方法

说明书

本公开提供了一种陶瓷电子组件以及制造陶瓷电子组件的方法，所述陶瓷电子组件包括主体和外电极，所述主体包括介电层和内部电极，所述外电极设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述介电层包括多个介电晶粒，并且所述多个介电晶粒中的至少一个具有核‑双壳结构，所述核‑双壳结构具有核和双壳。所述双壳包括围绕所述核的至少一部分的第一壳和围绕所述第一壳的至少一部分的第二壳，并且包括在所述第二壳中的稀土元素的浓度是包括在所述第一壳中的稀土元素的浓度的大于1.3倍且小于3.8倍。

本申请要求于2020年1月7日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0001979号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种陶瓷电子组件以及制造陶瓷电子组件的方法。

背景技术

通常，使用陶瓷材料的陶瓷电子组件(诸如，电容器、电感器、压电元件、变阻器、热敏电阻等)可包括利用陶瓷材料制成的陶瓷主体、形成在陶瓷主体中的内电极以及设置在陶瓷主体的表面上以连接到内电极的外电极。

多层陶瓷电容器(MLCC)(一种类型的陶瓷电子组件)正在被开发为通过其层的超薄化而具有增大的容量。

高容量的多层陶瓷电容器(MLCC)可包括作为形成主体的主要材料的钛酸钡(BaTiO₃)以及作为内电极的基体材料的镍。

这样的主体通常在还原气氛中烧制。在这种情况下，主体中的电介质应该是抗还原的。

然而，由于氧化物的固有特性，氧化物中的氧可能在还原气氛中在烧制操作期间逸出以产生氧空穴和电子。因此，其可靠性和绝缘电阻(IR)可能被劣化。

为了解决所述问题，已经提出了一种方法，在该方法中，添加稀土元素(诸如，Dy、Y、Ho等)以抑制氧空穴的产生，降低氧空穴的迁移率，并且通过添加过渡金属而去除产生的电子。

然而，仍然存在的问题是，当多层陶瓷电容器中的层变薄以具有相对高的容量时或者当在更苛刻的使用环境下在其中使用相对高的电压时，以上方法可能不是有效的。

此外，当通过以上方法添加稀土元素或过渡元素时，高温寿命特性可能被劣化，或者根据温度变化的电容温度系数(TCC)特性可能被劣化。

发明内容

本公开的一方面在于提供一种能够提高可靠性的陶瓷电子组件及其制造方法。

本公开的一方面在于提供一种能够改善电容温度系数(TCC)特性的陶瓷电子组件及其制造方法。

本公开的一方面在于提供一种能够改善高温寿命特性的陶瓷电子组件及其制造方法。

本公开的一方面在于提供一种能够改善介电常数的陶瓷电子组件及其制造方法。

然而，本公开的目的不限于以上描述，并且在描述本公开的具体实施例的过程中将更容易理解。

根据本公开的一方面，一种陶瓷电子组件包括主体和外电极，所述主体包括介电层和内电极，所述外电极设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述介电层包括多个介电晶粒，并且所述多个介电晶粒中的至少一个具有核-双壳结构，所述核-双壳结构具有核和双壳。另外，所述双壳包括围绕所述核的至少一部分的第一壳和围绕所述第一壳的至少一部分的第二壳，并且包括在所述第二壳中的稀土元素的浓度是包括在所述第一壳中的稀土元素的浓度的大于1.3倍且小于3.8倍。