[发明专利]半导体装置结构的形成方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体装置结构的形成方法。此方法包含在基底上方形成第一栅极堆叠，基底具有基座和在基座上方的第一鳍片结构，并且第一栅极堆叠包覆环绕第一鳍片结构的第一上部周围。此方法包含部分地移除未被第一栅极堆叠覆盖的第一鳍片结构。此方法包含在第一鳍片结构的第一侧壁上方形成第一掩膜层。此方法包含在第一掩膜层覆盖第一侧壁的同时，在第一鳍片结构的第二侧壁上方形成第一应力物，第一侧壁与第二侧壁相对，此方法包含移除第一掩膜层。此方法包含在基座和第一应力物上方形成介电层，介电层覆盖第一侧壁。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造技术，尤其涉及半导体装置结构及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业经历了快速的成长。集成电路材料和设计上的技术进展已产生了数个世代的集成电路。每一世代皆较前一世代具有更小且更复杂的电路。然而，这样的进展增加了加工和制造集成电路的复杂度。

在集成电路演进的历程中，当几何尺寸(也就是使用生产工艺可以产生的最小元件或线)缩减时，功能密度(也就是单位芯片面积的内连接装置数量)通常也增加。这种尺寸微缩的工艺通常通过提高生产效率及降低相关成本而提供一些效益。

然而，由于部件尺寸持续减小，生产工艺持续变得更难以进行。因此，以越来越小的尺寸形成可靠的半导体装置是一项挑战。

发明内容

根据一些实施例提供半导体装置结构的形成方法。此方法包含在基底上方形成第一栅极堆叠。基底具有基座和在基座上方的第一鳍片结构，且第一栅极堆叠包覆环绕第一鳍片结构的第一上部。此方法包含部分地移除未被第一栅极堆叠覆盖的第一鳍片结构，此方法包含在第一鳍片结构的第一侧壁上方形成第一掩膜层。此方法包含在第一掩膜层覆盖第一侧壁的同时，在第一鳍片结构的第二侧壁上方形成第一应力物。第一侧壁与第二侧壁相对。此方法包含移除第一掩膜层。此方法包含在基座和第一应力物上方形成介电层，介电层覆盖第一侧壁。

根据另一些实施例提供半导体装置结构的形成方法。此方法包含在基底上方形成第一栅极堆叠和第二栅极堆叠。基底具有基座、在基座上方的第一多层堆叠和第二多层堆叠。第一栅极堆叠包覆环绕第一多层堆叠，且第二栅极包覆堆叠环绕第二多层堆叠。此方法包含在第一多层堆叠的第一侧壁上方形成第一掩膜层。此方法包含在第一掩膜层覆盖第一多层堆叠的第一侧壁的同时，在第二多层堆叠的第二侧壁上方形成第一应力物。此方法包含移除第一掩膜层。此方法包含在第一应力物和基座上方形成介电层，介电层覆盖第一侧壁。

根据又另一些实施例提供半导体装置结构。此半导体装置结构包含基底，基底具有基座和在基座上方的第一多层堆叠，此半导体装置结构包含在基底上方的第一栅极堆叠。第一栅极堆叠包覆环绕第一多层堆叠，此半导体装置结构包含在第一栅极堆叠的第一侧壁上方的第一间隔物，其中第一间隔物的第二侧壁与第一多层堆叠的第三侧壁大致上共平面。此半导体装置结构包含在基座上方并覆盖第三侧壁的介电层。此半导体装置结构包含在第一多层堆叠的第四侧壁上方的应力物，第三侧壁与第四侧壁相对。

附图说明

通过以下的详细描述配合所附附图，可以更加理解本发明实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1A～图1M是根据一些实施例的用于形成半导体装置结构的工艺的各个阶段的透视图。

图1E-1是根据一些实施例的沿着图1E中的剖面线I-I’示出的半导体装置结构的剖面示意图。

图1F-1是根据一些实施例的沿着图1F中的剖面线I-I’示出的半导体装置结构的剖面示意图。

图1G-1是根据一些实施例的图1G的半导体装置结构的俯视图。

图1G-2是根据一些实施例的沿着图1G-1中的剖面线I-I’示出的半导体装置结构的剖面示意图。