[发明专利]一种用于接收机中提取接收信号强度的电路有效

专利信息
申请号: 202010668169.X 申请日: 2020-07-13
公开(公告)号: CN111800152B 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 苏杰;朱勇;徐祎喆 申请(专利权)人: 重庆百瑞互联电子技术有限公司
主分类号: H04B1/16 分类号: H04B1/16;H04B17/318
代理公司: 北京国科程知识产权代理事务所(普通合伙) 11862 代理人: 曹晓斐
地址: 401120 重庆市渝北区*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 接收机 提取 接收 信号 强度 电路
【权利要求书】:

1.一种用于接收机中提取接收信号强度的电路,其特征在于,包括:

限幅放大器模块,包括N级限幅放大器,所述N级限幅放大器依次级联,其中所述N为不小于1的自然数,所述限幅放大器模块用于将输入信号通过所述N级限幅放大器,输出单端满摆幅信号;

接收信号强度指示器模块,包括N个接收信号强度指示器,所述N个接收信号强度指示器中每一者的输入端依次对应连接所述N级限幅放大器中每一者的输入端,所述N个接收信号强度指示器中每一者的输出端连接并作为所述接收信号强度指示器模块的输出端,所述N个接收信号强度指示器中每一者将各自输入的信号转换为直流电压信号;

偏置电路,其用于为所述限幅放大器模块和所述接收信号强度指示器模块提供偏置电压和/或偏置电流;

所述限幅放大器模块还包括:直流偏移消除电路,

当所述N为奇数时,所述直流偏移消除电路用于将所述N级限幅放大器中第(N+1)/2者的输出信号反馈到所述N级限幅放大器中第一者的输入端;

当所述N为偶数时,所述直流偏移消除电路用于将所述N级限幅放大器中第N/2者的输出信号反馈到所述N级限幅放大器中第一者的输入端;

其中,所述N级限幅放大器中前N-1者为差分输入差分输出结构,所述N级限幅放大器中第N者为差分输入单端输出结构。

2.根据权利要求1所述的用于接收机中提取接收信号强度的电路,其特征在于,所述限幅放大器模块还包括:第一隔直电容、第二隔直电容、第一阻抗器件和第二阻抗器件;其中,

所述第一隔直电容的一端和所述第二隔直电容的一端连接所述限幅放大器模块的输入端,所述N级限幅放大器中第N者的输出端作为所述限幅放大器模块的输出端,所述第一隔直电容的另一端连接所述N级限幅放大器中第一者的输入端和所述第一阻抗器件的一端,所述第二隔直电容的另一端连接所述N级限幅放大器中第一者的输入端和所述第二阻抗器件的一端,所述第一阻抗器件的另一端和所述第二阻抗器件的另一端连接所述偏置电路的第一输出端。

3.根据权利要求1所述的用于接收机中提取接收信号强度的电路,其特征在于,所述直流偏移消除电路包括,第三阻抗器件、第四阻抗器件、第三隔直电容、第一MOS管和第二MOS管;其中,

所述第三阻抗器件的一端和所述第四阻抗器件的一端连接所述N级限幅放大器中第N/2或(N+1)/2者的输出端,所述第三阻抗器件的另一端连接所述第三隔直电容的一端、第一MOS管的栅极和所述N级限幅放大器中第一者的输入端,所述第一MOS管的源极和漏极连接并接地,所述第四阻抗器件的另一端连接所述第三隔直电容的另一端、第二MOS管的栅极和所述N级限幅放大器中第一者的输入端,所述第二MOS管的源极和漏极连接并接地。

4.根据权利要求1所述的用于接收机中提取接收信号强度的电路,其特征在于,所述N个接收信号强度指示器具有相同的结构,所述接收信号强度指示器包括:第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第五阻抗器件以及第六阻抗器件;其中

所述第三MOS管和所述第四MOS管的栅极作为所述接收信号强度指示器的输入端,所述第十二MOS管的漏极作为所述接收信号强度指示器的输出端,电源电压连接所述第七MOS管、所述第八MOS管、所述第九MOS管、所述第十MOS管、所述第十一MOS管和所述第十二MOS管的源极,所述第三MOS管的源极连接所述第五阻抗器件的一端和所述第五MOS管的漏极,所述第四MOS管的源极连接所述第五阻抗器件的另一端和所述第六MOS管的漏极,所述第五MOS管的栅极和所述第六MOS管的栅极连接并连接所述偏置电路的第二输出端,所述第五MOS管的源极和所述第六MOS管的源极接地,所述第八MOS管的漏极连接所述第三MOS管的漏极,所述第八MOS管的漏极与栅极连接,所述第九MOS管的漏极连接所述第四MOS管的漏极和所述第十一MOS管的漏极,所述第八MOS管的栅极连接所述第九MOS管的栅极和所述第七MOS管的漏极,所述第七MOS管的栅极和所述第十MOS管的栅极作为PDN输入端,所述第十一MOS管的栅极连接所述第十二MOS管的栅极和所述第十MOS管的漏极,所述第十一MOS管的漏极与栅极连接,所述第十二MOS管的漏极连接所述第六阻抗器件的一端,所述第六阻抗器件的另一端接地。

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