[发明专利]HEMT器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010669544.2 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111952356A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 施宜军;陈思;付志伟;尧彬;陈义强 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 缪成珠 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | hemt 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种HEMT器件结构，其特征在于，所述结构包括：
HEMT异质结构层，所述HEMT异质结构层中设置有第一凹槽；
电极，包括设置于所述HEMT异质结构层上的栅极、漏极以及贴近设置的第一源极、第二源极，所述漏极和所述第一源极分别与所述HEMT异质结构层欧姆接触，所述第二源极与所述HEMT异质结构层肖特基接触，且所述第二源极设置于所述第一凹槽内。
2.根据权利要求1所述的HEMT器件结构，其特征在于，所述HEMT异质结构层包括层叠设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层之间形成有二维电子气，所述第二半导体层靠近所述电极层设置，所述第一凹槽设置于所述第二半导体层中。
3.根据权利要求2所述的HEMT器件结构，其特征在于，所述第一凹槽处的所述第二半导体层的厚度为6nm-20nm。
4.根据权利要求1所述的HEMT器件结构，其特征在于，所述第二源极填充于所述第一凹槽内，且延伸出所述第一凹槽并覆盖所述第一源极的表面。
5.根据权利要求2所述的HEMT器件结构，其特征在于，所述第一半导体层包括GaN缓冲层，所述第二半导体层包括AlGaN势垒层。
6.根据权利要求1所述的HEMT器件结构，其特征在于，所述HEMT异质结构层中还设置有第二凹槽，所述栅极设置于所述第二凹槽内，且所述栅极与所述HEMT异质结构之间设置有绝缘介质层。
7.根据权利要求6所述的HEMT器件结构，其特征在于，所述绝缘介质层包括SiO2、Si3N4、AlN、Al2O3、MgO、HfO2、Sc2O3以及复合介质材料中的任意一种或多种。
8.根据权利要求1所述的HEMT器件结构，其特征在于，所述第二源极包括功函数高于预设值的金属或合金。
9.一种HEMT器件结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成HEMT异质结构层；
在所述HEMT异质结构层上形成第一源极和漏极，所述第一源极和所述漏极分别与所述HEMT异质结构层欧姆接触；
刻蚀所述第一源极周边的所述HEMT异质结构层，形成第一凹槽；
在所述第一凹槽内形成第二源极，所述第二源极与所述HEMT异质结构层肖特基接触，在所述HEMT异质结构层上形成栅极。
10.根据权利要求9所述的HEMT器件结构的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀所述第一源极周边的所述HEMT异质结构层，形成第一凹槽的步骤之前，所述制备方法还包括：
在所述HEMT异质结构层中形成第二凹槽；
在所述第二凹槽内形成绝缘介质层；
所述在所述HEMT异质结构层上形成栅极的步骤包括：
在所述绝缘介质层上形成栅极。
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