[发明专利]显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

基板；

阴极，所述阴极设置在所述基板上；

多个像素单元，所述多个像素单元设置在所述阴极上，且所述多个像素单元阵列排布，所述像素单元中具有红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素；其中，所述红色子像素包括红光量子点发光层，所述绿色子像素包括绿光量子点发光层，所述蓝色子像素包括蓝光间隔层，所述红光量子点发光层、所述绿光量子点发光层、所述蓝光间隔层同层设置；其中，形成所述蓝光间隔层的材料包括：有机电子传输材料和n-型掺杂剂；其中，所述有机电子传输材料包括有机聚合物电子传输材料以及有机小分子电子传输材料的至少之一；所述n-型掺杂剂为碱金属或碱金属化合物；基于形成所述蓝光间隔层的材料的总质量，所述n-型掺杂剂的含量为0.1～50wt％；

蓝光有机发光层，所述蓝光有机发光层设置在所述多个像素单元上，且覆盖所述红光量子点发光层、所述绿光量子点发光层、所述蓝光间隔层；

阳极，所述阳极设置在所述蓝光有机发光层上。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，进一步包括：

电子传输层，所述电子传输层设置在所述阴极与所述多个像素单元之间；

电子阻挡层，所述电子阻挡层设置在所述蓝光有机发光层与所述阳极之间；

空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述电子阻挡层与所述阳极之间；

空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述空穴传输层与所述阳极之间。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述红光量子点发光层的厚度为1～50nm；和/或

所述绿光量子点发光层的厚度为1～50nm；和/或

所述蓝光间隔层的厚度为10～50nm；和/或

所述蓝光有机发光层的厚度为10～50nm。

4.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，进一步包括：

第一像素界定层，所述第一像素界定层设置在所述阴极上，所述第一像素界定层具有多个阵列排布的第一开口区，所述电子传输层设置在所述第一开口区中；

第二像素界定层，所述第二像素界定层设置在所述第一像素界定层上，所述第二像素界定层具有多个阵列排布的第二开口区，所述第二开口区与所述第一开口区一一对应设置，每个所述像素单元中的所述红光量子点发光层、所述绿光量子点发光层以及所述蓝光间隔层一一对应的设置在所述第二开口区中；

其中，所述第一开口区在所述基板上的投影面积小于所述第二开口区在所述基板上的投影面积；

形成所述第一像素界定层的材料为不含氟材料；

形成所述第二像素界定层的材料为含氟材料。

5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述阴极包括依次层叠设置的底电极、反射膜以及顶电极；

形成所述顶电极的材料为：功函数为3.5～4.4eV的透明金属氧化物；

形成所述底电极的材料为金属氧化物；

形成所述反射膜的材料为反射率大于90％的金属和/或合金材料。

6.如权利要求1所述显示装置，其特征在于，进一步包括：

阳极覆盖层，所述阳极覆盖层覆盖所述阳极，所述阳极覆盖层的折射率大于1.8，厚度为60～100nm；

封装层，所述封装层设置在所述基板上且围绕所述多个像素单元设置。

7.一种显示装置的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1至6任一项所述的显示装置，包括如下步骤：

提供基板；

在所述基板上形成阴极；

在所述阴极上形成多个像素单元，所述多个像素单元阵列排布，所述像素单元中具有红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素；其中，所述红色子像素包括红光量子点发光层，所述绿色子像素包括绿光量子点发光层，所述蓝色子像素包括蓝光间隔层，所述蓝光间隔层是通过湿法成膜方式形成的；

在所述多个像素单元上形成蓝光有机发光层；

在所述蓝光有机发光层上形成阳极。