[发明专利]一种衬底及其加工方法、发光二极管及其制造方法

说明书

本发明提供一种衬底及其加工方法、发光二极管及其制造方法，通过确定衬底所呈现的不对称面型及不对称取向，在不对称取向上对衬底进行扫描，在衬底中形成改质点通过调整不对称方向上扫描线的间隔距离，使得同一方向上的扫描线相互平行，而不对称方向上的扫描线的间隔距离不同，在不对称方向上产生间隔距离不同的改质点，通过形成上述改质点，使得衬底的应力发生改变，均匀整个衬底的应力分布，在不同的方向上产生不同的弯曲值变化，最终使得衬底在每个径向方向上的弯曲幅度和弯曲方向趋于一致，衬底面型收敛为对称面型。对称面型的衬底有利于提高后续外延层波长的收敛性，进而使得器件良率大大提升。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种衬底及其加工方法、发光二极管及其制造方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，通常需要借助生长衬底进行外延层的生长，对于生长衬底而言，衬底扭曲/弯曲是影响外延均匀性的最重要的因素。例如通常作为GaN外延层的生长衬底的蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底的机械加工过程中，会使衬底产生不均匀的应力，从而使衬底发生扭曲；例如：在多线切割过程中，由于蓝宝石较硬，钻石线受到较大的切割阻力，将出现抖动以及变形，衬底两侧线的位置不对称，导致衬底受力不均匀，发生扭曲；在研磨过程中，随着时间的推移，研磨颗粒会逐渐的减小，而不同大小的颗粒对衬底的压力是不同的，从而导致衬底的残留应力不同；在单面抛光后，最终衬底两面的粗糙度不同，会导致衬底两侧表面的应力状况不同，扭曲会进一步恶化。衬底的弯曲/扭曲使得衬底呈现出不对称的面型，不对成面型的衬底会导致后续形成的外延层的波长的收敛性降低。外延层波长的均匀性直接影响这后期器件的良率。

现有技术中，一般通过控制衬底的平片加工制程，例如长晶、切割、研磨、退火、铜抛和抛光等过程，来控制衬底的翘曲形状或者翘曲量。然而，这样的方法并不能使衬底完全收敛为对称面型。因此，有必要提供一种能够使衬底有效收敛为对称面型的方法。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种不对称面型衬底的加工方法、发光二极管及其制造方法。首先确定衬底所呈现的不对称面型，并确定所述不对称面型的不对称取向，在不对称取向上对衬底进行扫描，在衬底中形成改质点以使所述衬底由不对称面型收敛为对称面型。呈现对称面型，例如碗型，的衬底，对称面型的衬底有利于后续形成的外延层的波长均匀性。

为实现上述目的及其它相关目的，本发明的一实施例提供了一种呈现不对称面型的衬底的加工方法：该方法包括以下步骤：

提供衬底，并确定所述衬底呈现的不对称面型；

确定所述不对称面型的不对称的取向，并测量所述衬底在所述不对称的取向上的弯曲度；

在所述不对称的取向上，沿扫描线对所述衬底进行激光扫描，在所述衬底中形成改质点以使所述衬底由不对称面型收敛为对称面型。

可选地，在所述不对称的取向上，沿扫描线对所述衬底进行激光扫描，还包括以下步骤：

根据所述衬底在所述不对称的取向上的弯曲度，确定所述衬底的目标弯曲度bow0；

计算所述底在所述不对称的取向上的弯曲度值所述目标弯曲度的弯曲度差值Δbow；

根据所述弯曲度差值Δbow确定对所述衬底进行激光扫描的扫描深度；

根据所述弯曲度差值Δbow调整不同取向上的扫描线之间的间距。

可选地，上述加工方法还包括：调整同一个取向上的扫描线相互平行。

可选地，上述加工方法还包括：调整同一个取向上的扫描线之间的间距相同，不同取向上的扫描线之间的间距不同。

可选地，确定所述不对称面型的不对称的取向，并测量所述衬底在所述不对称的取向上的弯曲度，还包括如下步骤：