[发明专利]基于表面等离激元实现原子囚禁的结构

权利要求书

1.一种基于表面等离激元实现原子囚禁的结构，该结构为周期性结构，包括多个单元胞，其中，每个单元胞包括金属层、圆环腔和二氧化硅衬底，所述金属层中有金属纳米孔，所述圆环腔置于所述金属纳米孔中，所述金属纳米孔与所述圆环腔的中心重合，囚禁中心位于所述金属纳米孔和圆环腔中心正上方位置；

其中，所述结构的周期P为700nm，所述金属纳米孔的半径r3为300nm，所述圆环腔的内径r1为150nm，所述圆环腔的外径r2为200nm，所述金属纳米孔和圆环腔的高度h1为400nm，所述二氧化硅衬底的厚度h2为400nm。

2.根据权利要求1所述的基于表面等离激元实现原子囚禁的结构，其中，以金属纳米孔的上表面正中心为坐标原点，以水平方向为x轴，以竖直方向为y轴，以xy右手螺旋方向为z轴，入射光从-z方向入射经过二氧化硅衬底然后激发金属纳米孔和圆环腔的表面等离激元，从而在该结构的上方空间产生局域电场最小值的位置处形成囚禁中心。

3.根据权利要求2所述的基于表面等离激元实现原子囚禁的结构，其中，所述入射光为圆偏光。

4.根据权利要求3所述的基于表面等离激元实现原子囚禁的结构，其中，所述圆偏光为左旋光或右旋光，圆偏光的囚禁波长λ＝760nm。

5.根据权利要求1所述的基于表面等离激元实现原子囚禁的结构，其中，所述金属层为银质金属层。

6.根据权利要求1所述的基于表面等离激元实现原子囚禁的结构，其中，所述二氧化硅衬底材料折射率n＝1.45。

7.根据权利要求1所述的基于表面等离激元实现原子囚禁的结构，其中，所述金属纳米孔与圆环腔内填充为空气。