[发明专利]一种防静电且孔四周毛刺小的PI导引带在审
申请号: | 202010671844.4 | 申请日: | 2020-07-14 |
公开(公告)号: | CN112103251A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 张春林 | 申请(专利权)人: | 苏州凯萨特电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L23/60;H05K9/00 |
代理公司: | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人: | 杜权 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 四周 毛刺 pi 导引 | ||
本发明公开了一种防静电且孔四周毛刺小的PI导引带,包括带体,带体的两侧端面均粘接有抗静电涂层,带体的上端和下端还均开设有等间距分布的导引带孔。本发明的PI导引带由定位机构精确定位后经模具连续冲压而成,在PI导引带的生产过程中,由于对料带送料方式、定位及真空压力采用了精确控制的设计,使得对PI导引带的孔间距及表面划伤得到了很好的解决,使导引带孔的四周毛刺小且导引带孔的孔距精度好,通过对牵引速度的控制,可有效避免料带表面被拉伤的情况发生,带体的两侧端面均粘接有抗静电涂层,抗静电涂层可阻碍外部静电荷向带体传导,从而起到抗静电的作用,使PI导引带防静电等级达到双抗要求。
技术领域
本发明涉及半导体材料技术领域,具体为一种防静电且孔四周毛刺小的PI导引带。
背景技术
COF(Chip On Flex,or,Chip On Film),常称覆晶薄膜,是将集成电路(IC)固定在柔性线路板上的晶粒软膜构装技术,运用软质附加电路板作为封装芯片载体并将芯片与软性基板电路结合,或者单指未封装芯片的软质附加电路板,包括卷带式封装生产(TAB基板,其制程称为TCP)、软板连接芯片组件及软质IC载板封装。
目前国内尚没有用于半导体COF封装的PI导引带,为了满足客户对于PI导引带的需求,因此,急需一种PI导引带来满足客户的需求,并使其成为市场的主打产品。
发明内容
本发明的目的在于提供一种防静电且孔四周毛刺小的PI导引带,PI导引带由定位机构精确定位后经模具连续冲压而成,在PI导引带的生产过程中,由于对料带送料方式、定位及真空压力采用了精确控制的设计,使得对PI导引带的孔间距及表面划伤得到了很好的解决,使导引带孔的四周毛刺小且导引带孔的孔距精度好,通过对牵引速度的控制,可有效避免料带表面被拉伤的情况发生,带体的两侧端面均粘接有抗静电涂层,抗静电涂层可阻碍外部静电荷向带体传导,从而起到抗静电的作用,使PI导引带防静电等级达到双抗要求,可以解决现有技术中的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种防静电且孔四周毛刺小的PI导引带,包括带体,所述带体的两侧端面均粘接有抗静电涂层,所述带体的上端和下端还均开设有等间距分布的导引带孔。
优选的,所述抗静电涂层采用耐水洗抗静电剂,抗静电涂层的厚度为30um。
优选的,所述带体的宽度为34.975mm,厚度为0.075mm,上端的导引带孔的中端与下端的导引带孔的中端的间距为31.85mm。
优选的,所述导引带孔的长度和高度均为1.42mm,相邻的导引带孔之间的间距为4.75mm。
优选的,所述导引带孔距离带体上端的间距为0.85mm,所述导引带孔距离带体下端的间距也为0.85mm。
与现有技术相比,本发明的有益效果如下:
本发明的防静电且孔四周毛刺小的PI导引带,PI导引带由定位机构精确定位后经模具连续冲压而成,在PI导引带的生产过程中,由于对料带送料方式、定位及真空压力采用了精确控制的设计,使得对PI导引带的孔间距及表面划伤得到了很好的解决,使导引带孔的四周毛刺小且导引带孔的孔距精度好,通过对牵引速度的控制,可有效避免料带表面被拉伤的情况发生,带体的两侧端面均粘接有抗静电涂层,抗静电涂层可阻碍外部静电荷向带体传导,从而起到抗静电的作用,使PI导引带防静电等级达到双抗要求。
附图说明
图1为本发明的实施例一的PI导引带的正视图;
图2为本发明的实施例一的PI导引带的示意图;
图3为本发明的实施例一的PI导引带的侧视图;
图4为本发明的实施例一的PI导引带的横向剖面图;
图5为本发明的实施例二的PI导引带的正视图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州凯萨特电子科技有限公司,未经苏州凯萨特电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010671844.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。