[发明专利]一种多晶硅规整填料清洗工艺

说明书

本发明公开了一种多晶硅规整填料清洗工艺，包括以下步骤：步骤S1清洗前处理；步骤S2沥干；步骤S3上料；步骤S4第一次超声波清洗；步骤S5第二次超声波清洗；步骤S6第一次鼓泡漂洗；步骤S7第二次鼓泡漂洗；步骤S8超纯水清洗；步骤S9喷淋处理；步骤S10风机吹水；步骤S11烘干处理；步骤S12检测；步骤S13包装；本发明通过将多晶硅进行多次超声波清洗、纯水清洗、喷淋清洗等多道步骤，能够提高多晶硅清洗质量，提高清洗效率，减小人工劳动强度，提高多晶硅成品质量。

【技术领域】

本发明涉及多晶硅的技术领域，特别是多晶硅清洗工艺的技术领域。

【背景技术】

多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅，多晶硅在生产过程中需要将附着在多晶硅表面的污渍、灰尘清洗掉，以提高多晶硅纯度，提高成品质量。

【发明内容】

本发明的目的就是解决现有技术中的问题，提出一种多晶硅规整填料清洗工艺，能够提高多晶硅清洗质量，提高清洗效率。

为实现上述目的，本发明提出了一种多晶硅规整填料清洗工艺，包括以下步骤：

步骤S1清洗前处理：将多晶硅通过喷淋设备进行喷淋清洗，喷淋时间5-15min；

步骤S2沥干：将步骤S1中喷淋完成的多晶硅沥干水份；

步骤S3上料：将步骤S2中沥干水份的多晶硅导入清洗设备内：

步骤S4第一次超声波清洗：将多晶硅导入第一超声波清洗槽内，进行第一次超声波清洗，清洗时间2-10min；

步骤S5第二次超声波清洗：将步骤S4中清洗后的多晶硅导入第二超声波清洗槽内，进行第二次超声波清洗，清洗时间2-10min；

步骤S6第一次鼓泡漂洗：将步骤S5中第二次超声波清洗完成的多晶硅导入鼓泡漂洗槽内，通过鼓泡机进行鼓泡清洗，清洗时间2-10min；

步骤S7第二次鼓泡漂洗：将步骤S6中第一次鼓泡漂洗完成的多晶硅导入第二鼓泡漂洗槽内，通过鼓泡机进行鼓泡清洗，清洗时间2-10min；

步骤S8超纯水清洗：将步骤S7第二次鼓泡漂洗完成的多晶硅导入超纯水槽内，通过超纯水进行超纯水清洗，清洗时间为2-10min；

步骤S9喷淋处理：将步骤步骤S8超纯水清洗完成的多晶硅导入喷淋区，进行喷淋处理，喷淋时间5-15min；

步骤S10风机吹水：将喷淋处理后的多晶硅导入鼓风风机区，通过风机进行吹水，将多晶硅表面水份初步风干；

步骤S11烘干处理：将风干后的多晶硅导入烘干炉，通过热风循环加热，进行烘干处理，彻底烘干多晶硅表面水份，烘干时间10-15min；

步骤S12检测：将烘干后的多晶硅自然冷却，冷却完成后进行检验，剔除不合格产品；

步骤S13包装：使用无尘PVC膜将检验合格的多晶硅缠绕包装，包装完成后置于木箱内封存。

作为优选，所述的步骤S4第一次超声波清洗、步骤S5第二次超声波清洗中清洗液温度为50-60℃。

作为优选，所述的步骤S6第一次鼓泡漂洗、步骤S7第二次鼓泡漂洗中均使用纯水作为清洗液。

作为优选，所述的步骤S7第二次鼓泡漂洗清洗液温度为50-60℃。

作为优选，所述的步骤S11烘干处理中热空气温度为110-120℃。