[发明专利]SOI晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种SOI晶体管，其特征在于，该SOI晶体管包括：

衬底层，所述衬底层上依次沉积形成隔离层和SOI层，所述SOI层包括有源区；

沟道隔离结构，所述沟道隔离结构包围在所述SOI有源区的外周；

栅极结构，所述栅极结构设于所述有源区上，设置所述栅极结构的有源区为栅区；

第一导电类型杂质离子区，所述第一导电类型杂质离子区包括两个，分别形成于所述栅区的两侧；

体接触区，所述体接触区形成于，靠近其中一所述第一导电类型杂质离子区一侧的所述有源区中；

浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构设于所述体接触区，和，靠近所述体接触区的第一导电类型杂质离子区之间；

所述浅沟槽隔离结构包括：

第一浅沟槽隔离结构，与所述体接触区接触；

第二浅沟槽隔离结构，与靠近所述体接触区的所述第一导电类型杂质离子区接触；

所述第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构相间隔。

2.如权利要求1所述的SOI晶体管，其特征在于，两个所述第一导电类型杂质离子区，包括：源极区和漏极区，所述源极区和漏极区分别形成于所述栅区两侧的有源区中；

所述体接触区形成于，靠近所述源极区一侧的有源区中，或，靠近所述漏极区一侧的有源区中。

3.如权利要求1所述的SOI晶体管，其特征在于，所述体接触区的掺杂离子为第二导电类型杂质离子，第二导电类型与第一导电类型相反。

4.一种SOI晶体管的制作方法，其特征在于，该SOI晶体管的制作方法包括以下步骤：

提供衬底层，在所述衬底层上依次沉积形成隔离层和SOI层；

在有源区周围的SOI层中形成沟道隔离结构，在有源区中形成浅沟槽隔离结构；

在位于所述浅沟槽隔离结构一侧的SOI层上形成栅极结构；

通过光刻胶，定义出位于栅极结构两侧的第一导电类型杂质离子区图案，向所述第一导电类型杂质离子区图案中，注入第一导电类型杂质离子，形成第一导电类型杂质离子区；

通过光刻胶，在所述浅沟槽隔离结构远离所述栅极结构的一侧，定义出体接触区图案，向所述体接触区图案中注入第二导电类型杂质离子，形成体接触区；

所述浅沟槽隔离结构包括：第一浅沟槽隔离结构，与所述体接触区接触；第二浅沟槽隔离结构，与靠近所述体接触区的所述第一导电类型杂质离子区接触；所述第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构相间隔。

5.如权利要求4所述的SOI晶体管的制作方法，其特征在于，所述在有源区周围的SOI层中形成沟道隔离结构，在有源区中形成浅沟槽隔离结构的步骤，包括：

通过光刻胶定义出沟道隔离结构图案和浅沟槽隔离结构图案，所述沟道隔离结构图案包围在有源区的周围，所述浅沟槽隔离结构图案位于有源区中；

根据所述沟道隔离结构图案和浅沟槽隔离结构图案，刻蚀所述SOI层，将所述沟道隔离结构图案和浅沟槽隔离结构图案转移到所述SOI层中；

向所述SOI层中填充绝缘材料，研磨后形成沟道隔离结构和浅沟槽隔离结构。

6.如权利要求4所述的SOI晶体管的制作方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构将所述有源区分隔成两部分，分别为第一部分和第二部分；

所述第一导电类型杂质离子区和所述栅极结构位于所述有源区的第一部分，所述体接触区位于有源区的第二部分。

7.如权利要求4所述的SOI晶体管的制作方法，其特征在于，所述隔离层的厚度范围为10-500纳米。

8.如权利要求4所述的SOI晶体管的制作方法，其特征在于，所沉积的SOI层的厚度范围为300-5000纳米。